一种双栅极薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种双栅极薄膜晶体管及其的制作方法、阵列基板。其中，所述制作方法包括在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层；在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极；在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述漏电极、所述源电极、所述独立电极的表面形成绝缘保护层；以及在所述绝缘保护层上相对所述第一栅极的区域形成第二栅极。通过上述方式，本发明专利技术能够在不增加光罩的前提下，有效改善由于源极和漏极之间的有效沟道长度所引起的漏电问题，提高双栅极薄膜晶体管的电性能，增加其稳定性，简化制造工艺，节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及领域显示领域，特别是涉及一种双栅极薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板。
技术介绍
伴随着液晶IXD以及有机发光二极管OLED为代表的平板显示器向着大尺寸、高分辨率的方向发展，薄膜晶体管TFT作为平板显示行业的核心部件，也得到广泛的关注。双栅极薄膜晶体管因具有单栅极薄膜晶体管无法比拟的有点，而倍受青睐。例如，双栅极薄膜晶体管较容易控制阈值电压Vth、照光稳定性高等。然而，由于双栅极晶体管结构设计或制程中的差异，双栅极薄膜晶体管容易产生较高的漏电(即关断电流Iciff较高)，从而影响双栅极晶体管的基本电性及应用。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种双栅极薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板，能够有效减小由于源极和漏极之间的有效沟道长度所引起的漏电问题，提高双栅极晶体薄膜管的电性能。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种双栅极薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括:在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层；其中，在所述刻蚀阻挡层覆盖所述半导体层的区域开设有三个开口区域，使对应所述三个开口区域的半导体层暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双栅极薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层；其中，在所述刻蚀阻挡层覆盖所述半导体层的区域开设有三个开口区域，使对应所述三个开口区域的半导体层暴露；在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极；其中，在所述漏极和所述独立电极之间形成第一沟道，在所述独立电极和所述源极之间形成第二沟道，使对应所述第一沟道和所述第二沟道的所述刻蚀阻挡层暴露；在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述漏电极、所述源电极、所述独立电极的表面形成绝缘保护层；以及在所述绝缘保护层上相对所述第一栅极的区域形成第二栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44