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本发明公开了一种双栅极薄膜晶体管及其的制作方法、阵列基板。其中，所述制作方法包括在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层；在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极；在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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