半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于：在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此，能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括矩形形状的半导体芯片，所述半导体芯片包括：沿所述半导体芯片的端边配置的多个焊盘；设置于所述多个焊盘的每一个的引出布线部；和设置于所述多个焊盘的每一个与所述引出布线部的连接部位的倾斜部。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：富田和朗，竹若博基，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP