【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开了一种含TSV的Fan-OUt的封装结构，本专利技术还公开了一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法，本专利技术属于半导体封装
技术介绍
在Si或玻璃上做TSV，中高密度RDL布线和中小节距凸点，通过倒装焊集成具有中高I/O密度的多芯片，然后通过晶圆级塑封完成每个封装模块，在Si或玻璃背面漏出TSV并完成凸点，通过SMT实现和PCB互连。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是克服现有技术中存在的不足，提供一种含TSV的Fan-out的封装结构。本专利技术的另一目的是提供一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法。按照本专利技术提供的技术方案，所述一种含TSV的Fan-out的封装结构，在介电层的上表面设有基板，在基板的上表面设有键合胶，在键合胶的上表面设有介质层，在介质层的上表面设有塑封体；在键合胶、基板与介电层内设有导电柱，在导电柱的下端部连接有焊球，在介质层内设有布线，在布线的上端部设有凸点，所述导电柱的上端部与布线的下端部相连，在塑封体设有倒装的芯片，芯片与凸点相连。—种含TSV的Fan-out的封装结构的封装...
【技术保护点】
一种含TSV的Fan‑out的封装结构，其特征是：在介电层（10）的上表面设有基板（1），在基板（1）的上表面设有键合胶（3），在键合胶（3）的上表面设有介质层（4），在介质层（4）的上表面设有塑封体（9）；在键合胶（3）、基板（1）与介电层（10）内设有导电柱（2），在导电柱（2）的下端部连接有焊球（11），在介质层（4）内设有布线（5），在布线（5）的上端部设有凸点（6），所述导电柱（2）的上端部与布线（5）的下端部相连，在塑封体（9）设有倒装的芯片（7），芯片（7）与凸点（6）相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张文奇，宋崇申，冯光建，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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