一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法，该结构包括：至少两层功能化铝基板，其包括：铝通柱，铝半通柱，接地铝柱，芯片埋置腔，埋铝接地层以及埋铝互连线；埋置芯片，埋置于功能化铝基板的芯片埋置腔内；薄膜互连线，两端分别连接埋置芯片和铝半通柱；金属间化合物垂直互连线，两端分别连接相邻两层功能化铝基板的铝通柱；介质层，设置于功能化铝基板的表面。该方法包括：功能化铝基板的制备；埋置芯片的贴装；薄膜互连线的制备；介质层的制备；金属间化合物的沉积；三维堆叠垂直互连。本发明专利技术提高了封装效率和互连密度，采用金属间化合物垂直互连达到“低温制备，高温使用”的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子封装领域，特别涉及。
技术介绍
在“遵循摩尔定律”和“超越摩尔定律”的驱动下，微电子封装向着高集成密度、高功率密度、高可靠、低成本的方向发展。封装形式从单芯片封装向三维封装方向发展过程中，对封装的结构应力匹配、高温服役性能等提出了较高的要求。可满足未来三维封装对高互连密度、高功率密度、低温键合需求的互连技术正在引起学术界以及工业界的重视。三维集成技术是实现产品小型化、批量化、高性能的关键技术，相对于传统的二维封装技术，三维集成技术是在空间尺寸、成本、技术集成和性能等方面具有巨大的优势，具有较高封装效率。目前开发的三维集成技术都是以硅晶圆为基础，主要分为三种:(1)三维片上集成一一三维片上集成是IC技术的垂直延伸，通过外延等技在第一层IC层上依次构建多层有源半导体器件有源层，是一种均质三维系统芯片技术；(2)含TSV三维IC堆栈一一首先在单一圆片上进行加工，然后将这些圆片或IC堆叠成三维结构，并通过TSV实现圆片间互连；(3)三维封装一一通过将已封装芯片或裸芯片堆叠成三维结构，并通过引线键合或球栅阵列实现芯片间的互连。但是三维片上集成技术处于早期开发阶段，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构，其特征在于，包括：至少两层功能化铝基板，包括：铝通柱，铝半通柱，接地铝柱，芯片埋置腔，埋铝接地层以及埋铝互连线，其中：所述芯片埋置腔设置在所述功能化铝基板的一面，为内凹结构；所述埋铝接地层的一面连接所述芯片埋置腔的下端，另一面连接所述接地铝柱；所述铝通柱贯通所述功能化铝基板的两表面，所述铝半通柱贯通所述功能化铝基板的设置有芯片埋置腔的一面； 所述埋铝互连线的两端分别连接所述铝通柱和所述铝半通柱；埋置芯片，埋置于所述功能化铝基板的所述芯片埋置腔内；薄膜互连线，两端分别连接所述埋置芯片和所述铝半通柱；介质层，设置于所述功能化铝基板的表面，其包括铝通柱介质层通...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟伟，赵涌，刘米丰，谢慧琴，丁蕾，王立春，
申请(专利权)人：上海航天测控通信研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31