一种片式LED芯片封装基板制造技术

本实用新型专利技术涉及LED用基板，具体的说是涉及一种片式LED芯片封装基板，该封装基板包括熟陶瓷基片，所述熟陶瓷基片为已烧结过的基片，在已烧结过的熟陶瓷基片上设置有阵列式厚膜电路预置模，所述厚膜电路预置模印有银浆。本实用新型专利技术满足较大的PNL SIZE生产，效率高，适合大批量生产封装基板；张力不变，线路平整性和精度保证一次成功；符合高功率小尺寸的LED产品发展趋势；陶瓷封装基板烧结温度低、时间短，相对HTCC和LTCC而言，节能；不损耗陶瓷基板本身的热传导率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED用基板，具体的说是涉及一种片式LED芯片封装基板。
技术介绍
陶瓷基板是一层由氧化铝或氮化铝做成的基片，用此材料做成的封装基板可为芯片提供极佳的散热条件。在陶瓷基片上印一层银浆，再烧结成厚膜电路，应用于LED行业，这种技术在国外已经有了很大的发展。目前用于LED行业的此类产品，相关技术有HTCC(高温共烧)，LTCC(低温共烧)等，都存在以下几个难以克服的问题：1.银浆印刷厚度及印刷精度不容易控制，效率低，难以大批量生产；2.HTCC与LTCC受限于工艺因素，使得产品难以制备成小尺寸；3.HTCC与LTCC产品大大衰减了Al2O3材料本身具有的高热传导率。
技术实现思路
针对上述技术中的不足，本技术提供了一种收缩比例一致、尺寸精度高、成本低的片式LED芯片封装基板。为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现：一种片式LED芯片封装基板,该封装基板包括熟陶瓷基片，所述熟陶瓷基片为已烧结过的基片，在已烧结过的熟陶瓷基片上设置有阵列式厚膜电路预置模，所述厚膜电路预置模印有银浆。进一步的，所述熟陶瓷基片为熟氧化铝陶瓷基板。进一步的，所述熟陶瓷基片为含有96％Al2O3的基片。进一步的，所述熟陶瓷基片规格为4.5*4.5mm。本技术的有益效果是：1.满足较大的PNL SIZE生产，效率高，适合大批量生产封装基板；2.张力不变，线路平整性和精度保证一次成功；3.符合高功率小尺寸的LED产品发展趋势；4.陶瓷封装基板烧结温度低、时间短，相对HTCC和LTCC而言，节能；5.不损耗陶瓷基板本身的热传导率。附图说明图1为本技术片式LED芯片封装基板示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术作详细说明。请参照附图1所示，本技术的一种片式LED芯片封装基板,该封装基板包括熟陶瓷基片1，所述熟陶瓷基片1为已烧结过的基片，在已烧结过的熟陶瓷基片1上设置有阵列式厚膜电路预置模2，所述厚膜电路预置模2印有银浆。所述熟陶瓷基片1为熟氧化铝陶瓷基板，且含有96％Al2O3材料，其规格为4.5*4.5mm。本技术的上述结构在通过钢网印刷技术直接在已烧结的熟氧化铝陶瓷基板上印刷电路导线图形，再通过干燥炉150℃低温干燥和烧结炉850℃短时间(10～20min)烧结，使银浆上的粘结物挥发掉，银粉重新结晶成银面，与陶瓷表面粘结，形成导线。这种方式可避免传统技术中如生产效率低，收缩比例不一致(熟陶瓷再烧结一次不会收缩)，尺寸精度低，生产成本高，热导率低等问 题。因此，本技术具有较强的实用性，对于产品的生产效率、收缩比例、尺寸精度、生产成本、热导率都有很大的改善。以上所述仅为本技术的优选实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式LED芯片封装基板,该封装基板包括熟陶瓷基片(1)，其特征在于：所述熟陶瓷基片(1)为已烧结过的基片，在已烧结过的熟陶瓷基片(1)上设置有阵列式厚膜电路预置模(2)，所述厚膜电路预置模(2)印有银浆。

【技术特征摘要】
1.一种片式LED芯片封装基板,该封装基板包括熟陶瓷基片(1)，其特征在于：所述熟陶瓷基片(1)为已烧结过的基片，在已烧结过的熟陶瓷基片(1)上设置有阵列式厚膜电路预置模(2)，所述厚膜电路预置模(2)印有银浆。
2.根据权利要求1所述的一种片式LED芯片封装基板，其特征在于：所述熟...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄琦，
申请(专利权)人：共青城超群科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36