半导体系统及其修复方法技术方案

本发明专利技术提供一种可以改善半导体系统的修复能力的半导体系统及其修复方法。所述半导体系统包括：半导体电路，被配置成响应于外部命令而输出剩余修复信息，并且执行修复操作；以及主机，被配置成基于剩余修复信息来确定可用修复的数目，并且基于可用修复的数目向半导体电路提供外部命令。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种可以改善半导体系统的修复能力的。所述半导体系统包括：半导体电路，被配置成响应于外部命令而输出剩余修复信息，并且执行修复操作；以及主机，被配置成基于剩余修复信息来确定可用修复的数目，并且基于可用修复的数目向半导体电路提供外部命令。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2013年7月8日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0079576的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
各种实施例涉及一种半导体电路，且更具体而言，涉及一种。
技术介绍
在对包括具有数据存储区的半导体存储器的半导体电路进行制造或封装时，数据存储区的存储器单元会发生故障。 即使半导体电路可以包括利用冗余存储器单元来替换故障的存储器单元的修复电路，在完成封装后也难以修复故障的存储器单元。
技术实现思路
本文描述了一种改善修复能力的。 在本专利技术的一个实施例中，一种半导体系统包括:半导体电路，被配置成响应于外部命令而输出剩余修复信息，并且执行修复操作；以及主机，被配置成基于剩余修复信息来确定可用修复的数目，并且基于可用修复的数目向所述半导体电路提供外部命令。 在本专利技术的一个实施例中，一种用于修复包括半导体电路和主机的半导体系统的方法包括以下步骤:通过半导体电路产生剩余修复信息，所述剩余修复信息定义了可用修复的数目；通过主机从半导体电路接收剩余修复信息；以及基于剩余修复信息通过主机来控制半导体电路的修复操作。 在本专利技术的一个实施例中，一种用于修复包括半导体电路和主机的半导体系统的方法包括以下步骤:通过半导体电路产生剩余修复信息，所述剩余修复信息定义了可用修复的数目；每当半导体电路中的存储器单元需要被修复时，通过主机从半导体电路接收剩余修复信息；以及基于剩余修复信息通过主机来控制半导体电路的修复操作。 【专利附图】【附图说明】 结合附图来描述本专利技术的特征、方面和实施例，其中: 图1是根据一个实施例的半导体系统100的框图； 图2是说明图1所示的半导体电路300的配置的框图；以及 图3是用于描述根据一个实施例的半导体系统100的修复方法的流程图。 【具体实施方式】 以下将参照附图更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以采用不同形式来实施，而不应解释为限制于本文所陈列的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开充分与完整，并向本领域的技术人员充分地传达本专利技术的范围。在本公开中，相同的附图标记在本专利技术的各种附图和实施例中表示相同的部分。 图1是根据一个实施例的半导体系统100的框图。 如图1所示，根据一个实施例的半导体系统100可以包括主机200和半导体电路300。 半导体电路300可以被配置成响应于外部命令CMD、行地址R_ADD和列地址C_ADD而输出剩余修复信息RRC，并且执行修复操作。在一个实施例中，半导体电路300响应于外部命令CMD而在修复模式中时执行修复操作。 剩余修复信息RRC可以包括关于在半导体电路300中的可用修复的数目的信息。 半导体电路300可以通过接口块301来接收外部命令CMD、行地址R_ADD和列地址C_ADD,并且输出剩余修复信息RRC。 接口块301可以包括一个或多个焊盘。剩余修复信息RRC可以通过焊盘之中的数据输入/输出焊盘DQ来输出。 主机200可以被配置成基于剩余修复信息RRC来确定半导体电路300中的可用修复的数目，并且基于可用修复的数目来提供用于修复操作的外部命令CMD。 外部命令CMD可以利用指示半导体电路300的一些命令的组合来定义各种命令。各种命令可以包括用于进入修复模式的命令、输出剩余修复信息RRC的命令、修复编程的命令、激活(ACT)的命令、预充电(PRE)的命令、写入(WT)的命令、读取(RD)的命令等。 半导体电路300响应于指示半导体电路300进入修复模式的外部命令(CMD)而进入修复模式。当处于修复模式时，如果半导体电路300接收读取命令RD，则半导体电路300可以响应于接收读取命令RD而输出剩余修复信息RRC。另外，当处于修复模式时，接收的写入命令WT可以是指示半导体电路300应执行修复编程的命令。 为了利用剩余修复信息RRC，每当主机200需要剩余修复信息RRC时，主机200可以从半导体电路300接收剩余修复信息RRC而不存储剩余修复信息RRC。 另一方面，主机200可以接收剩余修复信息RRC，并将剩余修复信息RRC存储在存储区(未示出)中。主机200可以被配置成保持与每个剩余修复信息RRC相关的值，诸如计数值。在这种情况下，主机200可以被配置成每当执行修复操作时，通过将与剩余修复信息RRC相关的计数值减去1，来保持剩余修复信息RRC的值与存储在半导体电路300中的值同止/J/ O 主机200可以向半导体电路300提供行地址R_ADD和列地址C_ADD。 主机200可以通过接口块201来输出外部命令CMD、行地址R_ADD和列地址C_ADD，并接收剩余修复信息RRC。 接口块201可以包括一个或多个焊盘。剩余修复信息RRC可以通过焊盘中的数据输入/输出焊盘DQ来接收。 图2是说明图1所示的半导体电路300的配置的框图。 如图2所示，半导体电路300可以包括修复块400、存储块500、剩余修复信息处理块600和模式寄存器(MRS) 700。 模式寄存器700可以被配置成响应于外部命令CMD而产生修复使能信号PPREN。 存储块500可以被配置成响应于内部命令和外部地址而执行写入或读取操作。内部命令是外部命令CMD (即激活命令ACT、预充电命令PRE、写入命令WT和读取命令RD)的译码版本。在一个实施例中，存储块500被配置成响应于外部命令CMD和外部地址而执行写入/读取操作。外部地址是行地址R_ADD和列地址C_ADD。 修复块400可以被配置成基于修复信息R_DATA来执行修复编程，并且修复块400可以被配置成在修复模式下判断外部地址(例如，行地址R_ADD)是否等于修复信息R_DATA。 修复模式可以包括用于在半导体系统的封装完成之后修复故障的存储器单元的后封装修复(post package repair, PPR)模式。 修复块400可以包括:修复信息存储单元410、寄存器单元420、比较单元430和修复编程控制单元440。 修复信息存储单元410可以被配置成存储修复信息R_DATA，并且响应于时钟信号RCLK而输出存储的修复信息R_DATA。 修复信息R_DATA可以包括一个或多个修复地址。 修复信息存储单元410可以被配置成具有非易失性存储器以存储修复信息R_DATA。修复信息存储单元410可以被配置成具有一个或多个电熔丝。 寄存器单元420可以被配置成暂时存储修复信息R_DATA，并且响应于时钟信号RCLK而输出修复信息R_DATA。 比较单元430可以被配置成向存储块500提供外部地址(例如，行地址R_ADD)和修复信息R_DATA之间的比较结果。 根据由比较单元430执行的比较结果，可以在存储块500中选择与行地址R_ADD相对应的字线、或者替换行地址R_ADD的冗余字线。 例如，如果行地址R_A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体系统，包括：半导体电路，所述半导体电路被配置成响应于外部命令而输出剩余修复信息，并且执行修复操作；以及主机，所述主机被配置成基于所述剩余修复信息来确定可用修复的数目，并且基于所述可用修复的数目向所述半导体电路提供所述外部命令。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：尹贤洙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR