存储单元的修复方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储单元的修复方法和装置，其中该方法包括：接收访问命令，其中，上述访问命令携带有访问地址和访问操作；判断上述访问地址中的行地址和列地址是否分别与预先记录的已失效存储单元的行地址和列地址相同；若上述访问地址中的行地址和列地址分别与上述已失效存储单元的行地址和列地址相同，则根据上述访问地址查找到与上述已失效存储单元对应的冗余存储单元，并对查找到的上述冗余存储单元执行上述访问操作。通过上述方式有效解决了相关技术中在存储单元出现问题时采用整行或者整列替换而导致的资源浪费的技术问题，达到了提高资源利用率的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
存储单元的修复方法和装置
本专利技术涉及互联网领域，具体而言，涉及一种存储单元的修复方法和装置。
技术介绍
随着数字集成电路的功能越来越复杂、规模也越来越大，静态存储器已成为数字系统中非常重要的组成部分。静态随机读写存储器(Static RandomAccess Memory,简称为SRAM)以其无需刷新、使用方便以及速度较快等优点，被广泛应用于计算机的高速缓冲存储器以及其它的存储系统中。近些年来，SRAM被广泛地应用于手机、电脑等便携设备中，而SRAM的良率对便携设备的性能有很大的影响。然而，在生产SRAM的过程中，环境和工艺偏差等问题是不可避免的，这些原因容易导致SRAM中的某些存储单元遭到损坏而失效，从而导致SRAM无法正常工作。为了解决存储单元失效而导致的SRAM无法正常工作的问题，SRAM通常都带有修复功能，在工业上设计SRAM时，一般都会在SRAM中增加一些冗余单元(又叫做冗余存储单元)来增加良率。所谓的冗余存储单元是在SRAM中增加在存储单元阵列里的存储单元，这些冗余存储单元与正常的存储单元是相同的。在SRAM正常工作的情况下，这些冗余存储单元不能被读写，当在SRAM中检测到某些存储单元不能正常读写时，启动冗余存储单元来替换已失效的存储单元。 然而，在相关的技术中，当检测到某些存储单元不能正常读写时，使用冗余存储单元替换已失效存储单元所在的行或所在的列上的所有存储单元。例如，当检测到存储单元A已失效时，存储单元A的行地址将被记录下来。当对该存储单元A进行读操作时，先将读操作中携带的行地址与记录下的失效存储单元的行地址进行对比，若两个行地址相同，则将读操作中的行地址替换成冗余存储单元的行地址。这样所有的读操作将对冗余存储单元所在的行上的存储单元进行，从而实现修复功能。然而，上述存储单元的修复方案将导致一些没有出现问题的存储单元也被同时替换掉，从而使得可修复的存储单元数量减少，造成了资源浪费。针对上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种存储单元的修复方法和装置，以至少解决相关技术中在存储单元出现问题时采用整行或者整列替换而导致的资源浪费的技术问题。根据本专利技术的一个方面，提供了一种存储单元的修复方法，包括:接收访问命令，其中，上述访问命令携带有访问地址和访问操作；判断上述访问地址中的行地址和列地址是否分别与预先记录的已失效存储单元的行地址和列地址相同；若上述访问地址中的行地址和列地址分别与上述已失效存储单元的行地址和列地址相同，则根据上述访问地址查找到与上述已失效存储单元对应的冗余存储单元，并对查找到的上述冗余存储单元执行上述访问操作。优选地，在上述接收访问命令之前，上述方法还包括:当判断出上述已失效存储单元时，记录上述已失效存储单元的行地址和列地址，并在上述已失效存储单元的行地址和列地址与上述冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系。优选地，在上述已失效存储单元的行地址和列地址与上述冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系包括:从冗余行上选择一个尚未与任何一个已失效存储单元建立映射关系的冗余存储单元，其中，上述冗余行上具有多个冗余存储单元，上述多个冗余存储单元的行地址相同、列地址不同；在上述已失效存储单元的行地址和列地址与所选择的冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系。优选地，所选择的冗余存储单元的列地址与上述已失效存储单元的列地址相同。优选地，所选择的冗余存储单元的列地址为上述冗余行上尚未与任何一个已失效存储单元建立映射关系的冗余存储单元中列地址最小或最大的冗余存储单元的列地址。优选地，从冗余行上选择一个尚未与任何一个已失效存储单元建立映射关系的冗余存储单元包括:从多个上述冗余行上选择一个尚未与任何一个已失效存储单元建立映射关系的冗余存储单元。优选地，上述访问操作包括:读操作和/或写操作。根据本专利技术的另一方面，提供了一种存储单元的修复装置，包括:接收单元，用于接收访问命令，其中，上述访问命令携带有访问地址和访问操作；判断单元，用于判断上述访问地址中的行地址和列地址是否分别与预先记录的已失效存储单元的行地址和列地址相同；执行单元，用于在上述访问地址中的行地址和列地址分别与上述已失效存储单元的行地址和列地址相同的情况下，根据上述访问地址查找到与上述已失效存储单元对应的冗余存储单元，并对查找到的上述冗余存储单元执行上述访问操作。优选地，上述装置还包括建立单元:用于在上述接收访问命令之前，当判断出上述已失效存储单元时，记录上述已失效存储单元的行地址和列地址，并在上述已失效存储单元的行地址和列地址与上述冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系。优选地，上述建立单元包括:选择模块，用于从冗余行上选择一个尚未与任何一个已失效存储单元建立映射关系的冗余存储单元，其中，上述冗余行上具有多个冗余存储单元，上述多个冗余存储单元的行地址相同、列地址不同；建立模块，用于在上述已失效存储单元的行地址和列地址与所选择的冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系O在本专利技术中，对已失效存储单元的修复方式是对该已失效存储单元的行地址和列地址进行重新映射，而无需对已失效存储单元所在的一行或一列上的所有存储单元的行地址和列地址都进行重新映射，通过上述方式有效解决了相关技术中在存储单元出现问题时采用整行或者整列替换而导致的资源浪费的技术问题，达到了提高资源利用率的技术效果O【附图说明】此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1是根据本专利技术实施例的存储单元的修复装置的一种优选结构框图；图2是根据本专利技术实施例的存储单元的修复装置的另一种优选结构框图；图3是根据本专利技术实施例的存储单元的修复装置的又一种优选结构框图；图4是根据本专利技术实施例的存储单元的修复方法的一种优选流程图；图5是根据本专利技术实施例的存储单元的修复装置的另一种优选流程图；以及图6是根据本专利技术实施例的SRAM结构的一种优选示意图。【具体实施方式】下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在附图中，相同的参考标号指代相同的元素。此外，如本专利技术所使用的，术语“模块”或“单元”可以由模拟电路或数字电路或者其组合实现的硬件结构，当然“模块”或“单元”还可以是计算机上执行的软件对象或例程。实施例1如图1所示，存储单元的修复装置100包括:接收单元102，判断单元104和执行单元106。下面对该装置中各个单元进行具体描述。I)接收单元102，用于接收访问命令，其中，上述访问命令携带有访问地址和访问操作；优选的，访问地址包括待访问的存储单元的行地址和列地址，访问操作可以包括但不限于:读操作和/或写操作。例如，上述访问命令可以指示从行地址为RA、列地址为CA的存储单元中读取数据。2)判断单元104，与接收单元102耦合，用于判断上述访问地址中的行地址和列地址是否分别与预先记录的已失效存储单元的行地址和列地址相同。例如，预先记录了已失效存储单元I的行地址和列地址，以及已失效存储单元2的行地址和列地址,其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元的修复方法，其特征在于，包括：接收访问命令，其中，所述访问命令携带有访问地址和访问操作；判断所述访问地址中的行地址和列地址是否分别与预先记录的已失效存储单元的行地址和列地址相同；以及若所述访问地址中的行地址和列地址分别与所述已失效存储单元的行地址和列地址相同，则根据所述访问地址查找到与所述已失效存储单元对应的冗余存储单元，并对查找到的所述冗余存储单元执行所述访问操作。

【技术特征摘要】
1.一种存储单元的修复方法，其特征在于，包括: 接收访问命令，其中，所述访问命令携带有访问地址和访问操作； 判断所述访问地址中的行地址和列地址是否分别与预先记录的已失效存储单元的行地址和列地址相同；以及 若所述访问地址中的行地址和列地址分别与所述已失效存储单元的行地址和列地址相同，则根据所述访问地址查找到与所述已失效存储单元对应的冗余存储单元，并对查找到的所述冗余存储单元执行所述访问操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述接收访问命令之前，还包括: 当判断出所述已失效存储单元时，记录所述已失效存储单元的行地址和列地址，并在所述已失效存储单元的行地址和列地址与所述冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述已失效存储单元的行地址和列地址与所述冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系包括: 从冗余行上选择一个尚未与任何一个已失效存储单元建立映射关系的冗余存储单元，其中，所述冗余行 上具有多个冗余存储单元，所述多个冗余存储单元的行地址相同、列地址不同；以及 在所述已失效存储单元的行地址和列地址与所选择的冗余存储单元的行地址和列地址之间分别建立映射关系。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所选择的冗余存储单元的列地址与所述已失效存储单元的列地址相同。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所选择的冗余存储单元的列地址为所述冗余行上尚未与任何一个已失效存储单元建立映射关系的冗余存储单元中列地址最小或最大的冗余存储单元的列地址。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：潘劲东，魏芳伟，丁艳，张静，方伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31