本发明专利技术公开了一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体；开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积；ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源；在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。本发明专利技术增加原位真空低温退火步骤，使ITO薄膜光学透过率达到90%～95%，方块电阻在30Ω/sq以下，且无需改变现有设备。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体；开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积；ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源；在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。本专利技术增加原位真空低温退火步骤，使ITO薄膜光学透过率达到90%～95%，方块电阻在30Ω/sq以下，且无需改变现有设备。【专利说明】一种提高I το薄膜性能的磁控溅射工艺
本专利技术涉及一种磁控溅射工艺，具体涉及一种提高Ι--薄膜性能的磁控溅射工 艺。
技术介绍
采用磁控溅射工艺制备ΙΤ0薄膜的原理是利用直流和射频电源在< 300°C温度 下，在氩气或氩气与氧气混合气体中产生等离子体，对铟、锡合金靶或氧化铟、氧化锡陶瓷 靶进行轰击，通过控制工艺参数获得ΙΤ0薄膜。现有磁控溅射工艺步骤可简述为抽真空、磁 控溅射、充气三个步骤。采用这种方式制备的ΙΤ0薄膜光学透过率在85%?90%，方块电阻 在30Q/ sq以上。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种提高ΙΤ0薄膜性能的磁控溅射工艺，增加 原位真空低温退火步骤，使ΙΤ0薄膜光学透过率达到90%?95%，方块电阻在30 Ω /sq以下， 且无需改变现有设备。 本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是：一种提高ΙΤ0薄膜性能的磁控溅射工 艺，步骤如下： 第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中； 第二步，将磁控溅射设备的温底调至300°C，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气与氧气的流量比为 40:1，沉积压力为10~ (-3)Pa ; 第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ΙΤ0薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ΙΤ0薄 膜沉积时间为l〇min ; 第五步，ΙΤ0薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体； 第六步，在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300°C、真空度为10~ (-4)Pa，时间为 30min ； 第七步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。 其中第六步为本专利技术增加的原位真空低温退火步骤。 本专利技术的有益效果是：在现有工艺中增加了一步原位真空低温退火，使ΙΤ0薄膜 光学透过率达到90%?95%，方块电阻在30 Ω /sq以下，且无需改变现有设备。 【具体实施方式】 实施例1 :一种提高ΙΤ0薄膜性能的磁控溅射工艺，增加了原位真空低温退火步 骤，所述原位真空低温退火步骤为第六步，具体工艺步骤如下： 第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中； 第二步，将磁控溅射设备的温底调至300°C，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气和氧气的流量分别 为 l2〇sccm 和 3sccm，沉积压力为 lCT(_3)Pa; 第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄 膜沉积时间为lOmin ; 第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体； 第六步，在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300°C、真空度为10~ (-4)Pa，时间为 30min ； 第七步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。 实施例2 :-种提高ΙΤ0薄膜性能的磁控溅射工艺，增加了原位真空低温退火步 骤，所述原位真空低温退火步骤为第六步，具体工艺步骤如下： 第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中； 第二步，将磁控溅射设备的温底调至280°C，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气和氧气的流量分别 为 160sccm 和 4sccm，沉积压力为 10~(-3)Pa; 第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄 膜沉积时间为12min ; 第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体； 第六步，在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300°C、真空度为10~ (-4)Pa，时间为 25min ； 第七步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。【权利要求】1. 一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下： 第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中； 第二步，将磁控溅射设备的温度调至30(TC，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气与氧气的流量比为 40:1，沉积压力为10~ (-3)Pa ; 第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄 膜沉积时间为l〇min ; 第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体； 第六步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底； 其特征在于：在第五步与第六步之间增加原位真空低温退火步骤，所述原位真空低 温退火步骤的具体工艺为：在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300°C、真空度为 10~ (_4)Pa，时间为 30min。【文档编号】C23C14/35GK104195519SQ201410448333【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年9月5日 优先权日:2014年9月5日 【专利技术者】金井升, 蒋方丹, 金浩, 陈康平 申请人:浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；第二步，将磁控溅射设备的温度调至300℃，抽真空度至10^(‑4)Pa；第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气与氧气的流量比为40:1，沉积压力为10^(‑3)Pa；第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄膜沉积时间为10min；第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体；第六步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底；其特征在于：在第五步与第六步之间增加原位真空低温退火步骤，所述原位真空低温退火步骤的具体工艺为：在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(‑4)Pa，时间为30min。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，蒋方丹，金浩，陈康平，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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