【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种用于提高磁控溅射膜均匀性的工艺气管，所述的工艺气管由若干组气嘴组件构成，气嘴组件通过气嘴管连接在四通接头上，四通接头通过气管连接在气源上。本技术的优点在于：结构简单、操作方便，可全方位调整气嘴角度，且溅射效果好、使用寿命长。【专利说明】
本技术涉及手机膜生产领域，尤其是指一种用于提高磁控溅射膜均匀性的工 艺气管。 -种用于提高磁控溅射膜均匀性的工艺气管
技术介绍
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发 生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加 速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或 分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E电场X B磁 场所指的方向漂移，简称EXB漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就 以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表 面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积 速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作 用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较 低。为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引 入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于提高磁控溅射膜均匀性的...
【技术保护点】
一种用于提高磁控溅射膜均匀性的工艺气管，其特征在于：所述的工艺气管由若干组气嘴组件（3）构成，气嘴组件（3）通过气嘴管（5）连接在四通接头（4）上，四通接头（4）通过气管（2）连接在气源（1）上；气嘴组件（3）包括有气嘴（6）、旋转管（7）、旋转座（8）、气嘴接头（9），其中，气嘴接头（9）通过气嘴管（5）连接在四通接头（4）上，旋转座（8）固装在气嘴接头（9），旋转管（7）底部套装在旋转座（8）内，旋转管（7）顶部与气嘴（6）连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周航锋，贺伟，侍进山，徐博文，李景，李信，陈武，万禄兵，
申请(专利权)人：湖南中好科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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