【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种无铟靶材绑定技术，它包括有基材，基材顶部预设有若干个凸起或凹进的定位，靶材底部设有与定位相配合的卡位，并通过卡位装配在基材上；靶材采用多段组合式结构。本技术的优点在于：无需使用胶水粘接、结构简单、稳定、制作成本小、溅射效果好、使用寿命长。【专利说明】一种无铟靶材绑定技术
本技术涉及溅射靶材，尤其是指一种无铟靶材绑定技术。
技术介绍
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发 生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加 速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或 分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E电场X B磁 场所指的方向漂移，简称EXB漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就 以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表 面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积 速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作 用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较 低。为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引 入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。但现有的 靶材在制作时材料浪费大、溅射效果不佳。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足...
【技术保护点】
一种无铟靶材绑定技术，其特征在于：它包括有基材（1），基材（1）顶部预设有若干个凸起或凹进的定位（2），靶材（3）底部设有与定位（2）相配合的卡位，并通过卡位装配在基材（1）上；靶材（3）采用多段组合式结构；所述的基材（1）采用铜合金制作成型，其截面为阶梯状，阶梯状的底部阶梯面为固定面，该固定面上设有固定螺孔（4）；所述的靶材（3）由三段结构组合成型，组合后的靶材（3）顶部预留有溅射槽（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周航锋，贺伟，侍进山，徐博文，李景，李信，陈武，万禄兵，
申请(专利权)人：湖南中好科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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