一种赛隆陶瓷靶材的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种赛隆陶瓷靶材的制作方法。包括：提供包括氮化硅、氧化铝、氮化铝、助烧剂以及导电剂的原料粉末；并将所述原料粉末混合均匀后，进行热压烧结处理，形成赛隆陶瓷靶材。采用本发明专利技术制得的赛隆陶瓷具有良好的导电性和导热性能，从而在线丝切割工艺中，加强赛隆陶瓷与移动中的电极丝之间不断产生脉冲性的火花放电，并在火花放电时瞬时产生高温，加快赛隆陶瓷与电极丝的接触部位的蚀除，改善赛隆陶瓷的切割性能，提高切割赛隆陶瓷的顺畅性，以及赛隆陶瓷的机械加工精度。

【技术实现步骤摘要】
一种赛隆陶瓷靶材的制作方法
本专利技术涉及半导体溅射领域，特别涉及一种赛隆陶瓷靶材的制作方法。
技术介绍
赛隆（sialon）是一种基本结构单元为（Si，Al）（O，N）4四面体材料，其常用作于陶瓷材料。赛隆陶瓷包括α-sialon（MeXSi12-（m+n）Alm+n）OnN16-n，Me为金属离子，包括钇等）和β-sialon（Si6-ZAlZOZN8-Z）两种变形体。其中，sialon陶瓷是氮化硅（Si3N4）和氧化铝（Al2O3）在高温下生成的固溶体，两种sialon陶瓷继承了氮化硅和氧化铝两种物质的晶相的特性具体高硬度、耐磨性的同时，还各具特性。如α-sialon还具抗热震性，而β-sialon相较于普通陶瓷具有更好的断裂韧性。Sialon陶瓷具有良好的热、力、光性能，且化学性质稳定，是重要的无机材料。而由α-sialon和β-sialon组成的复相赛隆陶瓷在高温下也兼具高强度和高韧度。基于sialon陶瓷良好的机械性能，sialon陶瓷常用于轴承、密封圈、以及光学器件、半导体分立器等半导体器件中的耐磨部件。其中，在半导体领域中，sialon陶瓷通过真空磁控溅射镀膜方式形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供包括氮化硅、氧化铝、氮化铝、助烧剂以及导电剂的原料粉末；将所述原料粉末混合均匀后，进行热压烧结处理，形成赛隆陶瓷靶材。

【技术特征摘要】
1.一种赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供包括氮化硅、氧化铝、氮化铝、助烧剂以及导电剂的原料粉末；所述导电剂为氮化钛或氮化钽；所述氮化硅、氧化铝、氮化铝、助烧剂以及导电剂的重量含量为：45～60wt％、2～10wt％、2～5wt％、5～10wt％、30～45wt％；将所述原料粉末混合均匀后，进行热压烧结处理，形成赛隆陶瓷靶材。2.根据权利要求1所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述热压烧结处理工艺包括：以5～10℃/min的速率加热至1200℃；之后，以1.5～3℃/min的速率加热至1300～1400℃；之后，以4～6℃/min的速率加热至1450～1700℃；以0.3～0.5MPa/min速率持续加压，至预设压强，所述预设压强大于20MPa；并在温度为1450～1700℃，预设压强条件下保温保压加热4～7h。3.根据权利要求2所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述预设压强大于20MPa且小于或等于30MPa。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，相原俊夫，大岩一彦，潘杰，王学泽，王科，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33