【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材，靶材主体采用多段组合式结构，组合后的主体顶部设有下凹的溅射槽，溅射槽的溅射面中部沿主体长度方向凸起，使溅射面横截面呈W状，主体下端设有凹或凸的定位槽。本技术与现有平面结构型的溅射面不同的是：本方案设计有溅射槽以适应溅射不同位置，进而提高溅射靶材的使用效率，进一步增加靶材的使用寿命，而且本方案靶材底部不需要采用胶水粘接，使用操作方便，减少靶材体积，降低制造成本。【专利说明】一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材
本技术涉及溅射靶材，尤其是指一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶 材。
技术介绍
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发 生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加 速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或 分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E电场X B磁 场所指的方向漂移，简称EXB漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就 以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表 面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积 速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作 用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较 低。为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离...
【技术保护点】
一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材，其特征在于：靶材（1）主体采用多段组合式结构，组合后的主体顶部设有下凹的溅射槽（2），溅射槽（2）的溅射面中部沿主体长度方向凸起，使溅射面横截面呈W状，主体下端设有凹或凸的定位槽（3）；所述的靶材（1）为三段，位于两端的靶材（1）上的溅射槽（2）端部采用弧形结构收尾。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周航锋，贺伟，侍进山，徐博文，李景，李信，陈武，万禄兵，
申请(专利权)人：湖南中好科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。