【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微量元素均匀掺杂方法，特别涉及一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法。
技术介绍
氧化镁是最耐离子撞击的材料之一，且具有很高的二次电子发射效率与透光率，因而被广泛用作等离子体显示板(PDP)的介质保护膜。在AC-PDP放电单元中，介质保护膜直接与放电气体接触，要求其具有：离子诱导二次电子发射系数大、抗离子轰击、对可见光透明。高纯氧化镁烧结体靶材在彩色交流等离子体显示器上的成功应用，极大的提高了其使用寿命和显示效果。然而降低PDP屏的着火电压是PDP行业永恒的课题。各种实验研究显示，提高MgO膜的二次电子发射系数(γ)，可以降低着火电压和维持电压，整机产品更加节能。解决上述问题的有效途径是，在高纯氧化镁烧结体靶材中均匀掺杂微量的某种元素，可以增加介质保护膜的晶格缺陷，更容易因受到激发而产生大量的二次电子，进而提高二次电子发射系数。目前，已经得到良好试验效果的掺杂元素是硅元素，以纳米SiO2与MgO粉体进行干法混合，混合24～48小时。该方法较费时，且混合均匀性较差。
技术实现思路
为了解决高纯氧化镁烧结体靶材中惨杂不均匀的问题，本专利技术提供一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法。本专利技术的目的是通过以下措施来达到：提供一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，首先将硅源溶解制备成前驱液；再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制备成浆料，从...
【技术保护点】
一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，其特征在于，将硅源溶解制备成前驱液；再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制备成浆料，从而完成硅元素的均匀掺杂；此浆料再进行喷雾造粒、压制成型、烧结等工序，制备成微量硅元素掺杂的氧化镁烧结体靶材。
【技术特征摘要】
1.一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂方法，其特征在于，将
硅源溶解制备成前驱液；再与一定重量比的氧化镁原料在球磨机中混合，制
备成浆料，从而完成硅元素的均匀掺杂；此浆料再进行喷雾造粒、压制成型、
烧结等工序，制备成微量硅元素掺杂的氧化镁烧结体靶材。
2.根据权利要求1所述的一种氧化镁烧结体靶材的微量硅元素均匀掺杂
方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾卫军，
申请(专利权)人：营口镁质材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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