【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于精细化工
，涉及到高纯氧化物粉体的杂质控制技术，特别涉及到。
技术介绍
氧化镁材料具备由离子溅射引起的变化少；二次电子发射系数高；放电起始电压(着火电压)和放电维持电压低；透过性高；绝缘性高等一系列优越特性作为保护材料被广泛使用。而降低PDP屏的着火电压一直是PDP行业的一项重要课题。烧结体氧化镁靶材的杂质是影响着火电压的一项重要参数，掺入靶材的难挥发微量金属杂质0. 005%)如铁、铝、锰、铜等，会大大提高PDP屏的着火电压和放电维持电压， 严重影响氧化镁保护膜的质量，而且增加等离子电视机的能耗，还会减小其使用寿命，所以要严格控制烧结体氧化镁靶材的杂质含量。因此，烧结体氧化镁靶材杂质不仅要在工艺过程中进行控制，还要在源头加以严格控制。目前使用的源头控制方法主要有磁选法和酸洗法，但单独使用磁选法不能达到理想的处理效果；而酸洗法，不仅工作量大而且工艺复杂。针对这些问题，本专利技术提出一种实用的烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，采用混合低温烧结的方法，去除原料粉体中微量的难挥发金属杂质，而这种技术未见报道。这种方法工艺简单，而杂质的含量可以降低一个数量级，具有很高的经济技术价值。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，通过该方法可得到烧结体氧化镁靶材的纯净原料，在源头控制烧结体氧化镁靶材的杂质含量，保证靶材的纯度。此外净化后的粉体可以直接作为产品在市场销售，而且该纯度的粉体是市场上的稀缺资源。本专利技术的技术方案是，以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁为原料，与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，伴随着易挥发金属元素钾或钠的挥发，难...
【技术保护点】
１．一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中的一种或几种为原料，并将原料与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，得到氧化镁靶材。
【技术特征摘要】
1.一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中的一种或几种为原料，并将原料与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，得到氧化镁靶材。2.根据权利要求1所述的烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，所述含钠或钾的化合物为含钠和/或钾碳酸盐、氢氧化物及有机盐。3.根据权利要求1或2所述的烧结体氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宇，王宁会，穆卓艺，潘忠艺，张百平，
申请(专利权)人：辽宁中大超导材料有限公司，
类型：发明
国别省市：21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。