氧化镁烧结体及其制造方法技术

本发明专利技术提供能够抑制在成膜时发生飞溅且不易在成膜装置的供给口发生堵塞的氧化镁烧结体、使用该烧结体得到的PDP的保护膜用蒸镀材料以及上述烧结体的制造方法。该氧化镁烧结体包含氧化镁和3～50质量%的镁以外的元素周期表第IIA族元素的氧化物，根据需要包含1000ppm以下的选自铝、钇、铈、锆、钪和铬中的一种或两种以上的元素，该氧化镁烧结体的形状为圆板状、椭圆板状、多边形板状或半月板状，或者为在立方体或长方体的顶点带有弧度的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适合作为能够形成等离子体显示面板(以下，称为rop)的保护膜的蒸镀材料的。
技术介绍
PDP是设置有多个在2片玻璃基板的间隙中密闭得到的微小的放电空间的显示设备。例如，在矩阵显示方式的rop中，多个电极以格子状排列，使各电极的交叉部的放电单元选择性地发光而显示图像。代表性的面放电型的AC型PDP中，前面板的显示电极由电介 质层包覆，还在电介质层上形成有保护膜。保护膜具有防止由于将电介质层暴露于直接放电从而电介质层表面变化、放电起始电压上升的作用，是显示不随着离子轰击的溅射而变化的特性的层。目前，PDP用的保护膜，一般通过将氧化镁等的烧结体作为靶材的电子束蒸镀法在电介质层上形成。但是，为了使PDP更加节省电力，要求进ー步降低放电起始电压，作为rop用的保护膜，也要求具有低的放电起始电压、二次电子发射系数高、耐溅射强的材料。从这样的观点出发，作为构成保护膜的材料，提出了含有高纯度的氧化镁的蒸镀材料的方案(參照专利文献I 3)。这些保护膜材料由于放电起始电压比较低，耐溅射性良好，故而优选。在专利文献I中，记载有氧化镁纯度为99. 0%以上、相对密度为90. 0%以上、外形体积为35 1500mm3的氧化镁蒸镀材料。在专利文献2中，记载有表面粗糙度Ra为Ι.Ομπι ΙΟμπκ实际表面积为200mm2 1200mm2、外形体积为30mm3 1500mm3、比表面积为20cm2/g 100cm2/g、氧化续纯度为99. 0%以上、相对密度为90. 0%以上的氧化镁蒸镀材料。在专利文献3中，记载有氧化镁纯度为99. 0%以上、相对密度为90. 0%以上、外形体积为35mm3 1500mm3的氧化镁蒸镀材料。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2004-43955号公报专利文献2 :日本特开2004-43956号公报专利文献3 :日本特开2008-274442号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题若氧化镁蒸镀材料为呈立方体或长方体的形状的材料，则在位于其八个角的鋭角的突起部，由于蒸镀材料之间为点接触，因此在蒸镀时由所照射的电子束引起的热难以扩散，局部被快速加热，因此易于发生飞溅(突沸)。在飞溅的发生频率高时，由于发生蒸镀材料向膜表面的附着，因此有发生rop的显示不良的问题。另外，在含有氧化钙的氧化镁蒸镀材料中，与由高纯度的氧化镁构成的蒸镀材料相比较，由于烧结体表面的圆滑性差，容易发生摩擦，流动性降低，因此对成膜装置供给蒸镀材料吋，由于所发生的摩擦或粘连(bridge)等，有供给ロ容易被蒸镀材料堵塞的问题。因此，本专利技术的目的在于提供在使用氧化镁烧结体作为蒸镀材料进行成膜时能够抑制飞溅发生并且在对成膜装置供给蒸镀材料时不易发生供给ロ的堵塞的氧化镁烧结体、使用上述烧结体得到的rop的保护膜用蒸镀材料以及上述烧结体的制造方法。用于解决课题的方法本专利技术的专利技术人进行研究的结果，发现通过将氧化镁烧结体的组成调整为包含特定量的氧化镁、镁以外的元素周期表第IIA族元素的氧化物，并且使烧结体的形状为圆板状、椭圆板状、多边形板状或半月板状、或者在立方体或长方体的顶点带有弧度的形状，能 够在将该氧化镁烧结体用作蒸镀材料进行成膜时抑制飞溅发生，并能够防止由蒸镀材料碎片的附着造成的PDP的显示不良。还发现了在对成膜装置供给蒸镀材料时不易发生供给ロ的堵塞，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术涉及一种氧化镁烧结体，其特征在于，包含氧化镁和3 50质量％的镁以外的元素周期表第IIA族元素的氧化物，其形状为圆板状、椭圆板状、多边形板状或半月板状，或者为在立方体或长方体的顶点带有弧度的形状。另外本专利技术也涉及包含该氧化镁烧结体的等离子体显示面板的保护膜用蒸镀材料。本专利技术还涉及ー种氧化镁烧结体的制造方法，用于制造上述氧化镁烧结体，该制造方法包括混合含镁化合物粉末、含有镁以外的元素周期表第IIA族元素的化合物粉末和粘合剂，制备混合物的エ序；将上述混合物进行造粒、干燥而得到造粒粉末的エ序；将上述造粒粉末在模具内成型而形成成型体的エ序；和将上述成型体进行烧制的エ序。专利技术的效果根据本专利技术的氧化镁烧结体，由于形状为圆板状、椭圆板状、多边形板状或半月板状、或者在立方体或长方体的八个顶点带有弧度的形状，因此与通常的立方体或长方体相比，鋭角的突起部少，避免由蒸镀时所照射的电子束造成的局部加热，因此能够抑制飞溅的发生。另外，由于这些形状，在对成膜装置供给蒸镀材料时，能够使供给ロ的堵塞难以发生。附图说明图I是表示呈圆板状的本专利技术的氧化镁烧结体的立体透视图。图2是表示通常的长方体状的氧化镁烧结体(比较例)的立体透视图。图3是表示呈在长方体的顶点带有弧度的形状的本专利技术的氧化镁烧结体的立体透视图。图4是用于确认烧结体的流动性的装置的图。具体实施例方式本专利技术的氧化镁烧结体，作为构成成分以氧化镁为主体，还含有镁以外的元素周期表第IIA族元素的氧化物。烧结体是指通过在低于熔点的温度加热粉末的集合体，通过粉体的固相扩散、颈部的生长、晶界的移动等，粉末彼此连结而制得的致密的成型体。作为镁以外的元素周期表第IIA族元素，可以列举钙、被、锶、钡和镭。它们可以仅使用I种，也可以组合2种以上使用。其中，钙由于带隙小，使放电起始电压降低的效果高，故而优选。本专利技术的氧化镁烧结体中镁以外的元素周期表第IIA族元素的氧化物的含量为3 50质量％。当小于3质量％时，低 电压效果不充分，当超过50质量％时，烧结体強度急剧降低，容易发生飞溅，也容易发生成膜装置的供给ロ的堵塞。优选为5 35质量％，更优选为9 25质量％。另外，本专利技术的氧化镁烧结体中，作为烧结助剂，能够在上述氧化镁中添加IOOOppm以下的选自铝、钇、铈、锆、钪和铬中的ー种或两种以上的元素。通过添加烧结助剂来改善烧结体表面的圆滑性，但若大量添加则会使作为PDP用保护膜的特性劣化，因此优选为500ppm以下，更优选为300ppm以下。本专利技术的氧化镁烧结体的形状为圆板状、椭圆板状、多边形板状或半月板状，或者为在立方体或长方体的顶点带有弧度的形状。由此，与通常的立方体或长方体相比较，鋭角的突起部少，蒸镀时所照射的电子束难以在特定位置集中。其结果，能够抑制飞溅的发生。另外，由于为含有氧化钙的氧化镁烧结体，因此尽管表面的圆滑性差、容易发生摩擦，但由于为圆板状、椭圆板状、多边形板状或半月板状，或者为在立方体或长方体的顶点具有弧度的形状，因此流动性得到改善，在对成膜装置供给蒸镀材料时不易发生供给ロ的堵塞。图I是表示呈圆板状的本专利技术的氧化镁烧结体的立体透视图。如图I所示，圆板状是指圆形的板状。另外，椭圆板状是指在上述圆板状中构成底面的面为椭圆，多边形板状是指在上述圆板状中构成底面的面为多边形，半月板状是指在上述圆板状中构成底面的面为半圆形(将圆以直径2等分得到的一部分)。图2是表示通常的长方体状的氧化镁烧结体(比较例)的立体透视图，图3是表示呈在长方体的顶点带有弧度的形状的本专利技术的氧化镁烧结体的立体透视图。如图3所示，在长方体的顶点带有弧度的形状是指作为整体保持长方体的形状，但将长方体的8个顶点削掉而带有弧度的形状。本专利技术的氧化镁烧结体优选相对密度为80%以上。接着说明制造本专利技术的氧化镁烧结体的方法。本专利技术的氧化镁烧结体能够经过如下エ序制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：龟井忠辅，辻田卓司，桥本润，岛村隆之，后藤真志，
申请(专利权)人：达泰豪化学工业株式会社，松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：