含铝氧化镁烧结物粉末制造技术

本发明专利技术的目的在于提供被由Ｘｅ气的气体放电产生的紫外光激发则高效率地发出在波长２５０ｎｍ左右具有峰值波长的紫外光的氧化镁粉末。该目的通过将γ型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到的、铝含量为２～３８质量％的含铝氧化镁粉末达成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及含有铝的氧化,，结物粉末。
技术介绍
交鹏等离子显示面板(以下也称为AC型PDP) —般包含作为图像显示 面的前面板、和夹着充满放电气体的放电空间而相向配置的背面板。前面板包 含玻璃基板、在该玻璃基板上形成的一对放电电极、以被覆放电电极的方式形 成的电介质层、以及在该电介质层的表面上形成的电介质保护层。背面板包含 玻璃基板、在该玻璃基板上形成的地址电极、以被覆该玻璃基板和地址电极的 方式形成的划分放电空间的隔壁、以及在隔壁表面上形成的红、绿、蓝的荧光 体层。放电气体一般使用Xe (氙)和Ne (氖)的混^H体。该混合气体中，Xe 为放电气体、Ne为缓冲气体。电介质保护层的形i^才料中，为了斷氏AC型PDP的工作电压、并且保护 电介质层不受在放电空间中形成的等离子体的损伤，广泛使用二次电子发射系 数高、耐W性优异的氧化镁。以往，AC型PDP中，为了提高发划寺性，研究了在电介质保护层的放电 空间侧表面上，设置被由放电气体产生的紫外光激发而发出可激发荧光体层的 荧光体的波长的紫外光的紫外光发出层，通过由放电气体发出的紫外光和紫外 光发出层发出的紫外光来,荧光体层的荧光体，提高荧光体层的发光效率。例如，专利文献l中公开了一禾中AC型PDP，雜电介质保护层的放电空 间侧表面上形成紫外光发出层，该紫夕卜光发出层包含镁受热产生的蒸气被气相 氧化形成的、ffl3lBET法测定的平均粒径为500埃以上、 为2000埃以上 的气相法氧化镁单晶体。并且，还公开了该紫外光发出层发出在230 250nm范 围具有峰值波长(t:。一夕波長)的紫外光，该波长的紫夕卜光驗荧光体而发光，3从而使PDP的M增加。另一方面，专利文献2中公开了^ffl将氧化f美和氧化铝混合、混炼制备的 分散溶液制造的PDP的电介质层f^J户层(氧化f美膜)。该专利文献2中记载了 氧化铝的添加效果旨在陶駄文魄始电压。但是，该专利文献2中没有记载氧 化铝的结晶结构，并且也没有记载得到的氧化f美薄膜被由PDP的放电气体所产 生的紫外光麟而发出紫外光。专利文献1日本特开2006—59786号公报专利文献2日本特开2006—173129号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氧化镁粉末，其作为在AC型PDP等气体放电 发光装置的电介质保护层上形成的紫外光发出层的材禾将用，当被由Xe气的气 体放电产生的紫外光激发时，高效率地发出在波长250nm P(t^具有峰值波长的 紫外光。本专利技术人发现，以使烧结(焼成)后的铝含量为2 38质量％的方式将7型 氧化铝粉^n氧化f美源粉末混合，iJtit在850。C以上的^^特别是烧结10射中以上所得到的含铝氧化f，结物粉末，被由Xe气的气体放电产生的紫外光、 则高效率地发出在波长250nm附近(波长230 260nm的范围)具有峰值波长的紫外光，从而完成了本专利技术。因此，本专利技术为将Y型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到 的、铝含量为2~38质5%的含铝氧化镁粉末。战本专利技术的含铝氧化f幾结物粉末的雌方案如下。(1) 铝含量为5 35质fi0/。。(2) 吸收由Xe气的气体放电产生的紫外光而发出在230 260nm波长范 围具有峰值波长的紫外光。(3 )用于制造交流型等离子显示面板的电介质保护层的放电空间侧表面 上形成的紫外光发出层。本专利技术还提供含铝氧化镁粉末的制造方法，其包括将Y型氧化铝粉恭口氧 化, 粉末的粉末混合物烧结，所述含铝氧化f美粉末吸收由Xe气的气体放电产 生的紫外光而发出在230 260nm波长范围内具有峰值波长的紫外光。战本专利技术的含铝氧化纖结物粉末的制造方法的雌方案如下。(1) 鄉粉Mii金属镁蒸气的氧化来制造。(2) 粉末混合物的烧结^为900 1500。C。本专利技术的含铝氧化f，结物粉末，其被由Xe气的气体放电产生的紫外光激 发，高效率的地发出在波长250nm附近(230 260nm波长范围)具有峰值波 长的紫外光。因此，通过在AC型PDP、荧光灯等气体放电发光装置的放电空 间内配置由本专利技术的含铝氧化镁烧结物粉末制造的氧化镁膜，可以增加放电空 间内发出的紫外光的光量，能够使得由气体放电发光装置发出的可见光的量增 加。由本专利技术的含铝氧化f，结物粉末制造的氧化镁膜，作为AC型PDP的气 体电介质傲户层的表面上形成的紫外光发出层特别有用。附图说明图1为实施例1和比较例1制造的烧结物粉末的铝含量和紫外光发光3贩 的关系图。具体实施例方式本专利技术的含铝氧化f幾结物粉末含有铝2 38质量％，特别itit含有铝5~35 质量％。本专利技术的含铝氧化f幾结物粉末的BET比表面积，为0.1 30m2/g， 特别雌为0.2 12m2/g。本专利技术的含铝氧化f幾结物粉末可以M31将y型氧化铝粉 瞎化镁源粉 末混合，得到粉末混合物，接着烧结该粉末混合物而得到。粉末混合物的烧结 ^^雌为85(TC以上，更^it为900 1500。C，进一步雌为1000 1500°C。 烧结时间雌为10併中以上，更 为10併中 2小时，进一步雌为20分 钟 2小时。粉末混合物的烧结例如可如下进行在常压下、升^I度为100 50(TC/小时的条件下，升温到上述烧结温度，接着在烧结上述烧结时间后，以 100 50(TC/小时的降^3t度^4卩到室温。烧结氛围气通常翻大气氛围。氧化镁源粉末可以f顿氧化镁粉末、以及M加热转化成氧化镁粉末的镁化合物粉末。作为3M:加热转化成氧化镁粉末的镁化合物粉末的例子，可以列举氢氧化镁粉末、碱式碳,粉末、硝勝美粉末和醋勝美粉末。氧化镁源粉末雌为氧化镁粉末，氧化镁粉末 :气相合成氧化法制造的氧化镁粉末。气相合成氧化法为使金属镁蒸气和含氧气,气相中接触、将金属l美氧化而制造氧化镁粉末的方法。氧化f鎌粉末的纯度优选为99.95质量％以上。氧化《纖粉末的BET比表 面积i^为5 150m2/g，特别 为7 50m2/g。氧化f纖粉末的粒径只要不损 害本专利技术^媒则不特别限制。Y型氧化铝粉末的纯度im为99.0质量％以上。Y型氧化铝粉末的粒径只要 不损害本专利技术效果贝怀特别限制。本专利技术的含铝氧化f，结物粉末被由Xe气的气体方文电产生的紫外光、 ， 高效率地发出波长为250nm左右的紫外光(在230 260nm范围具有峰值波长 的紫外光)。另外，如上述专利文献l所述，己知AC型PDP、荧光灯等气体放 电发光装置中使用的荧光体材料被波长为250nm左右的紫外光激发发出可见 光。因此，当在AC型PDP、荧光灯等《顿Xe气作为放电气体的气体放电装置 的放电空间内、特别是电介质保护层放电空间侧的表面上配置由本专利技术的含铝 氧化,幾结物粉末制造的氧化纖时，可以增加放电空间内由Xe气的气体放电 发出的紫外光的光量，结果會,使由气体放电发光装置发出的可见光的量增加。 因此，本专利技术的含铝氧化!幾结物粉末特别适用于制造AC型PDP的电介质保 护层的放电空间侧表面上形成的紫外光发出层。本专利技术的含铝氧化,结物粉末可以使用喷涂法、静电i^布法等公知方法 形成氧化f纖，其粒径在不损害本专利技术 媒的范围不作特别限制。实施例实施例1(烧结物No.l No.8的制造)将ffi51气相合成氧化法制造的氧化镁粉末(2000A，宇部7亍U 7 A文(株) 本文档来自技高网...

【技术保护点】
含铝氧化镁粉末，其是将γ型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到的，铝含量为２～３８质量％。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-28 2007-0851201. 含铝氧化镁粉末，其是将γ型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到的，铝含量为2～38质量％。2. 如权利要求1所述的含铝氧化镁粉末，其中，铝含量为5 35质量％。3. 如权利要求1所述的含铝氧化^^末，其吸收由Xe气的气体放电产生 的紫外光，发出在230 260nm波长范围具有峰值波长的紫外光。4. 如^l利要求1 3中任一项所述的含铝氧化镁粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤裕三，植木明，
申请(专利权)人：宇部材料工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]