物理蒸镀用靶构件和溅射靶构件以及物理蒸镀膜和层结构的制造方法技术

提供一种物理蒸镀用靶构件，其中，形成物理蒸镀膜时氧化所致的基底的劣化少，在物理蒸镀膜与基底的接合部产生的缺陷少，物理蒸镀膜与基底的晶格匹配性好，进而，其自身或形成的物理蒸镀膜的水合所致的变质少。物理蒸镀用靶构件包含Mg、M(M为3价金属元素)和O作为主要成分，Mg和M分别换算为MgO和M2O3这样的氧化物后的摩尔比为70：30～10：90。

Manufacturing methods of target components and sputtering target components for physical evaporation and physical evaporation coating and layer structure

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】物理蒸镀用靶构件和溅射靶构件以及物理蒸镀膜和层结构的制造方法
本专利技术涉及物理蒸镀用靶构件和溅射靶构件以及物理蒸镀膜和层结构的制造方法。
技术介绍
近年来，作为提高磁记录装置的记录密度的磁记录元件，磁隧道结(MTJ)元件受到关注。MTJ元件具有利用两个铁磁体层夹持隧道势垒层的结构、即铁磁体层/隧道势垒层/铁磁体层的三层结构。现有的隧道势垒层使用了具有无定形结构的Al氧化膜(无定形AlOx膜)或(001)面取向的结晶性MgO膜。但是，无定形AlOx膜由于与铁磁体层的接合电阻高、与铁磁体层的界面粗糙度大、特性偏差大、隧道磁电阻比(TMR比)小，因而不适于MTJ元件的隧道势垒层。另一方面，对于Fe或FeCo等具有bcc晶体结构的铁磁体，结晶性MgO膜由于隧道电阻(TR)小、TMR比大，因而适合于MTJ元件的隧道势垒层。因此，期待MTJ元件的性能提高、MTJ元件小型化、具备MTJ元件的磁记录装置的记录密度进一步提高。但是，MgO容易发生水合，因此有时与大气中的水分等发生反应而在表面生成氢氧化物，担心结晶性MgO膜或用于形成该膜的MgO溅射靶构件发生变质。专利文献1中记载了一种在结晶性MgO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物理蒸镀用靶构件，其特征在于，其包含Mg、M和O作为主要成分，其中M为3价金属元素，所述Mg和M分别换算为MgO和M2O3这样的氧化物后的摩尔比为70：30～10：90。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.25 JP 2016-2292141.一种物理蒸镀用靶构件，其特征在于，其包含Mg、M和O作为主要成分，其中M为3价金属元素，所述Mg和M分别换算为MgO和M2O3这样的氧化物后的摩尔比为70：30～10：90。2.一种物理蒸镀用靶构件，其特征在于，其包含Mg、M和O作为主要成分，其中M为3价金属元素，所述物理蒸镀用靶构件包含具有尖晶石结构的晶相。3.如权利要求1或2所述的物理蒸镀用靶构件，其特征在于，所述M为选自由Al和Ga组成的组中的1种或2种。4.如权利要求1～3中任一项所述的物理蒸镀用靶构件，其特征在于，使厚度为2mm时的透光率为60％...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保宽明，川边康平，三谷敦志，横山宗佑，高巢正信，
申请(专利权)人：宇部材料工业株式会社，日本钨合金株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP