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提供一种物理蒸镀用靶构件，其中，形成物理蒸镀膜时氧化所致的基底的劣化少，在物理蒸镀膜与基底的接合部产生的缺陷少，物理蒸镀膜与基底的晶格匹配性好，进而，其自身或形成的物理蒸镀膜的水合所致的变质少。物理蒸镀用靶构件包含Mg、M(M为3价金属元素...
该专利属于宇部材料工业株式会社;日本钨合金株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过宇部材料工业株式会社;日本钨合金株式会社授权不得商用。

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