铟锡氧化物靶材的制作方法技术

一种铟锡氧化物靶材的制作方法，包括：提供ITO粉料；采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用热等静压工艺对所述第二包套进行处理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。本发明专利技术突破了ITO粉料不易成型，易分解，会被还原等特点带来的加工ITO靶材的局限，能形成具有优良的致密度、内部组织结构的均匀性的ITO靶材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铟锡氧化物（ITO）靶材的制作方法。
技术介绍
ITO（铟锡氧化物）薄膜是一种n型半导体陶瓷薄膜，由于其导电性好，对可见光透明，对紫外光具有吸收性，对红外光具有高反射性等优异性能，因而被广泛应用于光学、电学等领域。现有工艺多数采用磁控溅射法制备的ITO薄膜，这样方法具有工艺控制性好，成膜质量高等优点而被广泛应用于工业生产。磁控溅射法制备高质量ITO薄膜的前提是制备高纯度、高密度、密度均匀的ITO靶材。现在通常制造ITO靶材的方法有烧结法和热压法等，由于氧化铟和氧化锡在高温下容易分解，以及氧化铟和氧化锡粉料为瘠性粉料，不易加工成型等特性的局限，现有技术对ITO靶材的制作仍有不同程度的缺陷：烧结法制ITO靶材是将ITO粉料经过冷压或者浇注成型形成ITO靶材坯料后，在氧化气氛中高温烧结。热压法中，在高温下（特别是在温度高于1200℃时），ITO粉料容易分解，形成气态物质从烧结状态下的ITO固溶体中逃逸，>形成的靶材会具有很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供ITO粉料；采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第二ITO靶材坯料；去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；采用热等静压工艺对第二包套内的第二ITO靶材坯料进行处理，形成第三ITO靶材坯料；去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO靶材。

【技术特征摘要】
1.一种铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，包括：
提供ITO粉料；
采用静压工艺将ITO粉料预压成型，形成第一ITO靶材坯料；
将第一ITO靶材坯料放入第一包套并抽真空；
采用冷等静压工艺对第一包套内的第一ITO靶材坯料进行处理，形成第
二ITO靶材坯料；
去除所述第一包套后，将第二ITO靶材坯料放入第二包套，并抽真空；
采用热等静压工艺对第二包套内的第二ITO靶材坯料进行处理，形成第
三ITO靶材坯料；
去除所述第二包套后，对所述第三ITO靶材坯料进行机械加工形成ITO
靶材。
2.根据权利要求1所述的铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，所述冷
等静压的工艺依次包括：
将冷等静压炉进行抽真空处理；
向冷等静压炉中填充惰性气体或氮气；
将第一包套置于冷等静压炉内，设置压力为100MPa~200MPa，并在此压
力下保压2小时~5小时。
3.根据权利要求1所述的铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，所述热
等静压的工艺操作包括：
将热等静压炉进行抽真空处理；
然后向热等静压炉中填充惰性气体或氮气；
然后将停止抽真空并密封好的第二包套置于热等静压炉内，设置热等静
压炉内温度为800℃~1000℃，设置压力为90MPa~130MPa，并在此温度和压
力下保温保压2小时~5小时；
最后冷却至200℃以下。
4.根据权利要求1所述的铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，所述ITO
粉料的主要成分为In2O3和SnO2的混合粉末。
5.根据权利要求4所述的铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，所述
In2O3和SnO2的质量比为9：1。
6.根据权利要求4所述的铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，所述ITO
粉料还包括黏合剂，所述黏合剂为甘油或丙酮。
7.根据权利要求1所述的铟锡氧化物靶材的制作方法，其特征在于，所述静
压工艺包括：
将静压炉抽真空处理；
抽真空处理后，将ITO粉末放入模具中，将所述模具放入静压炉中，所
述静压炉中的压头对所述ITO粉末施加静压压力，进行压实处理形成第一ITO
靶材坯料，所述静压压力为20MPa~30MPa。
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【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，相原俊夫，大岩一彦，潘杰，王学泽，宋佳，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：