【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及镀膜
,具体是涉及一种磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜。
技术介绍
ITO薄膜良好的导电性能、透光率和高的红外反射而被广泛应用于大屏幕液晶显示器、彩色等离子体显示器和电场致发光显示器等高科技领域,可用于卫星的空间防静电、玻璃除霜、制造液晶显示器的透明电极等。ITO的制备常用方法有CVD(化学气相沉积)、PVD(物理气相沉积)、SOL-GEL(溶胶-凝胶法)、微波ECR等离子体反应沉积、脉冲激光沉积和喷射热分解等,而磁控溅射沉积技术具有成膜率高、均匀性好、针孔少、纯度高、膜厚可控、重复性好、可大面积成膜等优点而得到广泛研究和应用。采用粉末靶材制备了具有良好光电性能的ITO薄膜,特别是通过实验发现,在射频磁控溅射法下,采用粉末靶材是可以获得与高密度陶瓷靶材相同性能的ITO薄膜,这意味着,ITO靶材由粉末压实即可,不需要烧结成陶瓷,这将极大降低ITO薄膜的制备成本。但对于粉末靶材制备ITO薄膜的相关制备参数还需要进行系统的研究,对粉末靶材性能与ITO薄膜之间的相互影响关系还需要深入探索。
技术实现思路
基于此,本专利技术提供了一种价格便宜,性能优越的射频磁控溅射制备ITO薄膜的制备方法。本专利技术的技术方案如下:一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺,包括如下步骤:1)制备粉末靶材:先将ITO粉体注入到模具中,铺平,封闭模具后压制成型;2)将步骤1)制备好的靶材和具有导热性能的基片和置于真空溅射腔室内;3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气,并将通入氧 ...
【技术保护点】
一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺,其特征在于,包括如下步骤:1)制备粉末靶材:先将ITO粉体注入到模具中,铺平,封闭模具后压制成型;2)将步骤1)制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内;3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气,并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1:14~16,设置镀膜功率为150~175w,镀膜时间为3~4h,溅射气压为1.0~1.2Pa,基片的加热温度为300~400℃;4)溅射完毕后在射频磁控溅射设备中保持温度200~300℃,保温时间为0.5~1h;5)将步骤3)所得已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺,其特征在于,包括如下步骤:
1)制备粉末靶材:先将ITO粉体注入到模具中,铺平,封闭模具后压制成型;
2)将步骤1)制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内;
3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气,并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1:14~16,设置镀膜功率为150~175w,镀膜时间为3~4h,溅射气压为1.0~1.2Pa,基片的加热温度为300~400℃;
4)溅射完毕后在射频磁控溅射设备中保持温度200~300℃,保温时间为0.5~1h;
5)将步骤3)所得已镀膜基片进行退火...
【专利技术属性】
技术研发人员:庞凤梅,徐国华,罗永城,
申请(专利权)人:庞凤梅,徐国华,罗永城,
类型:发明
国别省市:广西;45
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