一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜技术

一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。该发明专利技术以粉末靶材来制备薄膜，极大降低ITO薄膜的制备成本，而且性能优越，符合工业生产和应用的要求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。该专利技术以粉末靶材来制备薄膜，极大降低ITO薄膜的制备成本，而且性能优越，符合工业生产和应用的要求。【专利说明】一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜
本专利技术涉及镀膜
，具体是涉及一种磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜。
技术介绍
ITO薄膜良好的导电性能、透光率和高的红外反射而被广泛应用于大屏幕液晶显示器、彩色等离子体显示器和电场致发光显示器等高科技领域，可用于卫星的空间防静电、玻璃除霜、制造液晶显示器的透明电极等。ITO的制备常用方法有CVD(化学气相沉积)、PVD(物理气相沉积)、SOL-GEL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庞凤梅，徐国华，罗永城，
申请(专利权)人：庞凤梅，徐国华，罗永城，
类型：发明
国别省市：广西;45