一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。该发明专利技术以粉末靶材来制备薄膜，极大降低ITO薄膜的制备成本，而且性能优越，符合工业生产和应用的要求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。该专利技术以粉末靶材来制备薄膜，极大降低ITO薄膜的制备成本，而且性能优越，符合工业生产和应用的要求。【专利说明】一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜
本专利技术涉及镀膜
，具体是涉及一种磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜。
技术介绍
ITO薄膜良好的导电性能、透光率和高的红外反射而被广泛应用于大屏幕液晶显示器、彩色等离子体显示器和电场致发光显示器等高科技领域，可用于卫星的空间防静电、玻璃除霜、制造液晶显示器的透明电极等。ITO的制备常用方法有CVD(化学气相沉积)、PVD(物理气相沉积)、SOL-GEL (溶胶-凝胶法)、微波ECR等离子体反应沉积、脉冲激光沉积和喷射热分解等，而磁控溅射沉积技术具有成膜率高、均匀性好、针孔少、纯度高、膜厚可控、重复性好、可大面积成膜等优点而得到广泛研究和应用。 采用粉末靶材制备了具有良好光电性能的ITO薄膜，特别是通过实验发现，在射频磁控溅射法下，采用粉末靶材是可以获得与高密度陶瓷靶材相同性能的ITO薄膜，这意味着，ITO靶材由粉末压实即可，不需要烧结成陶瓷，这将极大降低ITO薄膜的制备成本。但对于粉末靶材制备ITO薄膜的相关制备参数还需要进行系统的研究，对粉末靶材性能与ITO薄膜之间的相互影响关系还需要深入探索。
技术实现思路
基于此，本专利技术提供了一种价格便宜，性能优越的射频磁控溅射制备ITO薄膜的制备方法。 本专利技术的技术方案如下:一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法，包括如下步骤:1)制备粉末靶材:先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2)将步骤I)制备好的靶材和具有导热性能的基片和置于真空溅射腔室内；3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1:14~16，设置镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0-1.2Pa，基片的加热温度为 300~400°C ；4)溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。 进一步地，所述步骤I)在模具内垫上滤纸。 进一步地，所述压制力度为lOOMpa，压制时间为10分钟。 进一步地，所述的氧气和氩气比为0.1:16，镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为4h，溅射气压为IPa，基片的加热温度为300°C。 进一步地，步骤4)所述的退火温度为500~550°C。 本专利技术的有效效果为:本专利技术以粉末靶材来制备薄膜，极大降低ITO薄膜的制备成本，而且性能优越，通过本专利技术方法制得的薄膜的晶型皆是(400)晶面的择优取向，薄膜的结晶质量高，而且薄膜颗粒更均一，表面光滑，颗粒边界也明显，粒度分布均匀，薄膜致密，其晶粒尺寸大小均匀，排列紧致，符合工业生产和应用的要求。 【具体实施方式】 实施例1一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法，包括如下步骤:O制备粉末靶材:在模具内垫上滤纸，先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后用10Mpa的压力压制成型，压制时间为10分钟；2)将步骤I)制备好的靶材和具有导热性能的基片和置于真空溅射腔室内；3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气比调整流量为0.1:16，设置镀膜功率为175w，镀膜时间为4h，溅射气压为1.0Pa，基片的加热温度为300°C ；4)溅射完毕后将已镀膜基片在退火温度为500°C下进行退火处理，即得所述薄膜。 实施例2一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法，包括如下步骤:O制备粉末靶材:在模具内垫上滤纸，先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后用10Mpa的压力压制成型，压制时间为10分钟；2)将步骤I)制备好的靶材和具有导热性能的基片和置于真空溅射腔室内；3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1:14，设置镀膜功率为150w，镀膜时间为3h，溅射气压为1.2Pa，基片的加热温度为400°C ；4)溅射完毕后将已镀膜基片在退火温度为550°C下进行退火处理，即得所述薄膜。 实施例3一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法，包括如下步骤:O制备粉末靶材:在模具内垫上滤纸，先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后用10Mpa的压力压制成型，压制时间为10分钟；2)将步骤I)制备好的靶材和具有导热性能的基片和置于真空溅射腔室内；3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1:15，设置镀膜功率为150w，镀膜时间为4h，溅射气压为1.0Pa，基片的加热温度为300°C ；4)溅射完毕后将已镀膜基片在退火温度为530°C下进行退火处理，即得所述薄膜。【权利要求】1.一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤: 1)制备粉末靶材:先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型； 2)将步骤I)制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内； 3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1:14~16，设置镀膜功率为150~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0-1.2Pa，基片的加热温度为 300~400°C ； 4)溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射制备ITO薄膜的方法，其特征在于:在步骤I)中，压制力度为lOOMpa，压制时间为10分钟。3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射制备ITO薄膜的方法，其特征在于:所述步骤3)中，氧气和氩气比为0.1:16，镀膜功率为175w，镀膜时间为4h，溅射气压为l.0Pa，基片的加热温度为300°C。4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射制备ITO薄膜的方法，其特征在于:所述步骤4)中，退火温度为500~550°C。5.一种由如权利要求1?4任一项所述的ITO薄膜的制备方法制备的ITO薄膜。【文档编号】C23C14/08GK104513966SQ201410815978【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年12月25日 优先权日:2014年12月25日 【专利技术者】庞凤梅, 徐国华, 罗永城 申请人:庞凤梅, 徐国华, 罗永城本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：庞凤梅，徐国华，罗永城，
申请(专利权)人：庞凤梅，徐国华，罗永城，
类型：发明
国别省市：广西;45
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