【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法，采用磁控溅射的方法，以富碳材料作为溅射靶材，以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛，以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜，所述衬底温度为20～500℃；在真空、氮气气氛或惰性气氛中，在300～1000℃下，氮掺杂碳膜经热处理10秒～20小时后，得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板，不消耗有机溶剂，简单易行；本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点，N含量最高可达30%；本方法制备的N掺杂多孔碳薄膜的膜厚最小仅为数纳米，且可以实现大面积制备。【专利说明】一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品
本专利技术涉及无机纳米材料的制备领域，尤其涉及一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法。
技术介绍
多孔碳材料是指具有不同孔结构的碳材料，其孔径可以根据实际应用的要求进行调控，使其尺寸处于纳米级微孔至微米级大孔之间。多孔碳材料具有碳材料的性质，如化学稳定性高、价格低廉等优点；同时，孔结构的引入使其同时具有比表面积大、孔道结构可控、孔径可调等特点。多孔...
【技术保护点】
一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、采用磁控溅射的方法，以富碳材料作为溅射靶材，以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛，以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜；步骤2、在真空、氮气气氛或惰性气氛中，在300～1000℃下，氮掺杂碳膜经热处理10秒～20小时后，得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：诸葛飞，曹鸿涛，陈浩，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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