【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了,该方法将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中,以平面硅靶作为硅元素的来源,通过调整功率来控制硅靶的溅射率;采用高纯氩气作为主要离化气体,保证有效的辉光放电过程;采用高纯氮气作为反应气体,使其离化并与硅元素结合,在基体表面沉积形成氮化硅薄膜,该薄膜在真空下550-950℃退火可得到具有纳米晶或非晶的复合结构。本专利技术通过改变氮气通入比例来达到对氮化硅薄膜微观结构的调控,进而改变薄膜的光电性能。本专利技术制备方法简单、可靠,制得的氮化硅薄膜有望在太阳能电池上获得应用。【专利说明】
本专利技术涉及薄膜材料的制备,特别涉及一种在单晶硅片基体上制备氮化硅薄膜的方法,该方法制备的氮化硅薄膜,具有微结构可调控,能带间隙可变化的特性,有望在太阳能电池材料上获得广泛应用。
技术介绍
氮化硅薄膜是一种物理、化学性能十分优良的介质膜,它具有很好的化学稳定性、热稳定性和介电特性。因此,它广泛用于微电子学领域。在半导体器件和集成电路中,氮化硅薄膜用作钝化膜,成为半导体工艺不可缺少的介质膜。 氮化硅薄膜还具有很好的机械性能,利用它的高硬 ...
【技术保护点】
一种磁控溅射制备氮化硅薄膜的方法,其特征在于,包括下列步骤:1)将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备真空室中的转架杆上,该转架杆随转架台转动,同时自转,保证镀膜过程的均匀性;2)以平面硅靶作为相应元素的来源,以对靶的方式安置在真空室内;3)将真空室的气压抽至10‑4‑10‑3Pa,加热基体,使基体温度为200‑250℃;4)真空室通入氩气并开负偏压对真空室和基体进行轰击清洗;5)关闭氩气,将真空室的气压再次抽至10‑4‑10‑3Pa,接着同时通入氩气和氮气,使氮气的体积百分比为10%‑80%。,当真空室气压上升至0.3‑0.5Pa时,调整负偏压到‑100V,打开硅靶的控制电源 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:袁萍,
申请(专利权)人:无锡慧明电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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