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本发明公开了一种磁控溅射制备氮化硅膜的方法，该方法将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中，以平面硅靶作为硅元素的来源，通过调整功率来控制硅靶的溅射率；采用高纯氩气作为主要离化气体，保证有效的辉光放电过程；采用高纯氮气作为反应气体，使其离化并与...
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