在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法，包括以下步骤：依次用化学试剂和等离子体对柔性衬底进行清洗，并将清洗后的柔性衬底置于磁控溅射镀膜机的基片台上，抽真空，充入工作气体，反应溅射制备得到氮化铝薄膜。该方法工艺简单、成本低，所选衬底为柔性材料，制备的氮化铝薄膜可弯曲，具有高c轴取向和高d33压电系数，可减小表面粗糙度，与提高基底结合力。可用于制备柔性声表面波器件。

【技术实现步骤摘要】
在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法
本专利技术属于信息电子材料
，具体涉及一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法。
技术介绍
在过去的几十年里，柔性电子由于轻便、便宜、可一次性使用等特点得到了广泛关注。在平板显示、传感、生物等领域得到了广泛的应用。氮化铝由于其具有高热导率、高硬度、高熔点、色散小、声速高、高的化学稳定性、大的击穿场强和低的介电损耗，可广泛用于声表面波器件、各种传感器、能量搜集器中。通过材料的压电特性，进行声电、力电转换，进行信息的传递、处理和能源转换。传统的氮化铝薄膜都是沉积在刚性基底上，如金刚石、蓝宝石、单晶硅基片等。但是这些基片都是高硬度，刚性不可弯曲且价格昂贵。通常为了得到高c轴取向的氮化铝薄膜，基片还必需加热到很高的温度。其工艺难以与传统的CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)工艺兼容。柔性衬底具有轻便，易成型，可弯曲，可以卷绕式连续化生产等优点。但是通常在柔性有机物基片上难以直接沉积高c轴取向的氮化铝薄膜，且其与基片表面结合力较弱。因此，在室温下沉积高c轴取向、粘附力好和表面粗糙度小的氮化铝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法，包括如下步骤：用等离子体对柔性衬底进行清洗，并将清洗后的柔性衬底置于磁控溅射镀膜机的基片台上，抽真空，充入工作气体，反应溅射制备得到氮化铝薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法，为如下步骤：用等离子体对柔性衬底进行清洗，并将清洗后的柔性衬底置于磁控溅射镀膜机的基片台上，抽真空，充入工作气体，反应溅射制备得到氮化铝薄膜；所述等离子体为氩气等离子体；所述用等离子体对柔性衬底进行清洗按如下步骤进行：将粘在玻璃基片上的柔性衬底，放入等离子体刻蚀机中，抽本底真空到10-4Pa以下，充入氩气使整个体系压力维持在10-2Pa，调屏极电压，加速电压，阳极电压，阴极电流分别为550V～750V，50V～130V，50V～100V，1A～20A，开挡板，刻蚀2-15分钟，刻蚀结束后，静置10分钟以上，充入氮气，取出粘在玻璃基片上的柔性衬底，其中，所述氩气的纯度为99.999％，所述氮气的纯度为99.999％；所述抽真空的真空度为10-6～10-4Pa；所述工作气体为氮气和氩气的混合气体，其中，所述氮气和氩气的体积比为(0.2～0.7)：1，所述氩气的纯度为99.999％，所述氮气的纯度为99.999％；所述工作气体是通过流量控制器实时地动态地通入到所述磁控溅射镀膜机的真空腔中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李起，曾飞，潘峰，高双，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11