【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是，所述方法包括溅射前处理、安装基片和溅射成膜过程。与现有技术相比，本专利技术通过磁控溅射工艺实现了在镁合金表面制备氮化钛薄膜的目的，通过所摸索的工艺条件可制得厚度为0.2～6μm的氮化钛薄膜，且所获得的薄膜纯度高、致密性好，与基体结合力良好，膜厚可控制、可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜；处理后的镁合金上性盐雾腐蚀不低于24小时，耐磨性优良。【专利说明】
本专利技术是涉及一种磁控溅射范畴，具体地说，是涉及一种在镁合金上制氮化钛薄膜的工艺，属于镁合金表面处理
。
技术介绍
氮化钛薄膜具有良好的化学惰性、高硬度和优良的耐磨性等优点，在镁合金表面制备一层氮化钛薄膜，可提高镁合金的耐蚀性、高硬度和耐磨性。目前在镁合金表面制备氮化钛薄膜层的主要手段为离子镀和化学气相沉积。离子镀是在真空条件下，利用气体放电或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发的物质离子轰击的同时把蒸发物或反应物沉积在工件表面，这种技术的主要缺点是经常有一些大的金属溶滴从靶材沉积到被镀工件表面上去，影响薄膜质量；化学气相沉积法是气态反应物在衬底表面...
【技术保护点】
一种磁控溅射在镁合金上制氮化钛膜的方法，具体步骤如下：步骤1、溅射前处理先将镁合金基片清洗，打磨，抛光，然后在无水乙醇中超声清洗15分钟，冷风干燥，备用；步骤2、安装基片将抛光好的镁合金基片安装于磁控溅射设备真空室内试样台上，确保固定，以防脱落；步骤3、溅射成膜1)金属钛靶置于直流阴极上；2)闭真空室，先用机械泵抽真空至2Pa，然后用分子泵抽真空至3‑5x10‑4Pa；3)达3‑5x10‑4pa真空度后，通入氩气和氮气的混合气体，其中氩气分压为0.4‑1.6Pa，氮气分压为0.03‑0.8Pa；4)动试样台，使基片对应于钛靶；5)在25～300℃、30～150W功率、0.2...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁萍，
申请(专利权)人：无锡慧明电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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