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一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜技术
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文档序号:11310523
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一种射频磁控溅射制备ITO薄膜的方法及ITO薄膜,包括如下步骤:1)制备粉末靶材:先将ITO粉体注入到模具中,铺平,封闭模具后压制成型;2)将步骤1)制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内;3)将通入氧气和氩气流量比调整为0.1...
该专利属于庞凤梅;徐国华;罗永城所有,仅供学习研究参考,未经过庞凤梅;徐国华;罗永城授权不得商用。
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