极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层技术

本发明专利技术提供提高了支持铜箔上的极薄铜层的厚度精度的极薄铜箔。本发明专利技术提供极薄铜箔，其为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔，其中，采用重量厚度法测定的上述极薄铜层的厚度精度为3.0%以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层
本专利技术涉及极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层。更具体而言，本专利技术涉及可用 作精细图案用途的印刷线路板的材料的极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层。
技术介绍
近年来，随着半导体电路的高集成化，印刷线路板中也要求精细电路。通常的精细 电路形成方法为在极薄铜层上形成布线回路后，用硫酸-过氧化氢类蚀刻剂蚀刻除去极薄 铜层的技术（MSAP :Modified-Semi-Additive_Process (模拟半加成工艺））。因此，优选极 薄铜层的厚度均匀。 在这里，电镀的箔厚精度大幅受阳极-阴极间的电极间距离影响。通常的极 薄铜层形成方法是在支持铜箔（12~70 μ m)上形成剥离层，进而在其表面形成极薄铜层 (0. 5~10. 0 μ m)和粗化粒子。对于形成支持铜箔以后的工序，目前采用如图1的对支持铜箔 无转筒支持的曲折送箔方式进行（专利文献1)。 先前技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2000-309898号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 但是，由于通过电镀形成的极薄铜层的厚度精度大幅受阳极-阴极间的电极间距离影 响，所以当采用这样的对支持铜箔无转筒支持的曲折送箔方式时，由于电解液和送箔张力 等的影响，难以固定电极间距离，产生厚度的变化增大的问题。 因此，本专利技术的课题在于，提供提高了支持铜箔上的极薄铜层的厚度精度的极薄 铜箔。 解决课题的手段 为达成上述目的，本专利技术人在反复深入研究时着眼于支持铜箔以后的工序的送箔方 式，发现通过非曲折而以转筒为支持介质的送箔方式，可确保一定的电极间距离，提高极薄 铜层的厚度精度。 本专利技术以上述见解为基础完成，在一个侧面，本专利技术为极薄铜箔，所述铜箔为具备 支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔，其中，采 用重量厚度法测定的上述极薄铜层的厚度精度为3. 0%以下。 在另一个侧面，本专利技术为极薄铜箔，所述铜箔为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上 的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔，其中，采用四探针法测定的上述极薄 铜层的厚度精度为10. 〇%以下。 在本专利技术所涉及的极薄铜箔的一个实施方案中，在上述极薄铜层表面具有粗化粒 子层。 toon] 在又一个侧面，本专利技术为极薄铜箔的制备方法，所述制备方法为通过处理以辊对 棍输送方式在长度方向输送的长条状支持铜箔的表面，制备具备支持铜箔、层压于支持铜 箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔的方法，包括：在用输送辊输送的 支持铜箔的表面形成剥离层的工序，和在用转筒支持用输送辊输送的形成有上述剥离层的 支持铜箔的同时通过电镀在上述剥离层表面形成极薄铜层的工序。 对于本专利技术的极薄铜箔的制备方法，在一个实施方案中，形成上述剥离层的工序 通过在用转筒支持用输送辊输送的上述支持铜箔的同时通过电镀在上述支持铜箔表面形 成极薄铜层来进行。 对于本专利技术的极薄铜箔的制备方法，在另一个实施方案中，进一步包括在用输送 辊输送的上述支持铜箔的极薄铜层表面形成粗化粒子层的工序。 对于本专利技术的极薄铜箔的制备方法，在又一个实施方案中，形成上述粗化粒子层 的工序通过在用转筒支持用输送辊输送的上述支持铜箔的同时通过电镀在上述极薄铜层 表面形成粗化粒子层来进行。 在又一个侧面，本专利技术为极薄铜层，所述铜层为在层压于支持铜箔上的剥离层上 层压、用以与上述支持铜箔和上述剥离层一同构成极薄铜箔的、由电解铜箔形成的极薄铜 层，其中，采用重量厚度法测定的厚度精度为3. 0%以下。 在又一个侧面，本专利技术为极薄铜层，所述铜层为在层压于支持铜箔上的剥离层上 层压、用以与上述支持铜箔和上述剥离层一同构成极薄铜箔的、由电解铜箔形成的极薄铜 层，其中，采用四探针法测定的厚度精度为10. 〇%以下。 在一个实施方案中，本专利技术的极薄铜层为在层压于支持铜箔上的剥离层上层压、 用以与上述支持铜箔和上述剥离层一同构成极薄铜箔的、由电解铜箔形成的极薄铜层，其 中，在表面具有粗化粒子层。 在又一个侧面，本专利技术为使用本专利技术的极薄铜箔制备的印刷线路板。 在又一个侧面，本专利技术为使用本专利技术的极薄铜层的印刷线路板。 专利技术的效果 根据本专利技术，可提供提高了支持铜箔上的极薄铜层的厚度精度的极薄铜箔。 【附图说明】 [图1]示出现有的曲折送箔方式的示意图。 [图2]示出本专利技术的实施方案1所涉及的极薄铜箔制备方法所涉及的送箔方式 的示意图。 [图3]示出本专利技术的实施方案2所涉及的极薄铜箔制备方法所涉及的送箔方式 的示意图。 [图4]示出本专利技术的实施方案3所涉及的极薄铜箔制备方法所涉及的送箔方式 的示意图。 实施专利技术的最佳方式 〈1.支持铜箔〉 本专利技术中可使用的支持铜箔典型地可以轧制铜箔或电解铜箔的形态提供。通常，电解 铜箔通过从硫酸铜电镀浴中电解析出铜在钛或不锈钢转筒上而制备，乳制铜箔重复利用轧 辊的塑性加工和热处理而制备。作为铜箔的材料，除韧铜或无氧铜之类的高纯度铜以外，亦 可使用例如含Sn铜，含Ag铜，添加 Cr、Zr或Mg等的铜合金，添加 Ni和Si等的科森类铜合 金之类的铜合金。需说明的是，在本说明书中当单独使用术语铜箔时亦包含铜合金箔。 对于在本专利技术中可使用的支持铜箔的厚度亦无特殊限制，只要适宜调节为在发挥 作为支持铜箔的作用方面合适的厚度即可，例如可设为12 μ m以上。但是，若过厚，则生产 成本升高，所以通常优选设为35 μ m以下。因此，支持铜箔的厚度典型地为12~70 μ m，更典 型地为18?35 μ m。 〈2.剥离层〉 在支持铜箔上设置剥离层。剥离层可使用镍、镍-磷合金、镍-钴合金、铬等形成。剥 离层为将支持铜箔由极薄铜层剥下时剥离的部分，但亦可具有防止铜成分由支持铜箔向极 薄铜层扩散的屏障效果。 当使用电解铜箔作为支持铜箔时，从减少小孔的观点出发优选在低粗糙度面设置 剥离层。剥离层可利用电镀、喷镀、CVD、物理蒸镀等方法设置。 〈3.极薄铜层〉 在剥离层之上设置极薄铜层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰 化铜等的电解浴的电镀形成，由于可使用普通的电解铜箔，可在高电流密度下形成铜箔，所 以优选硫酸铜浴。极薄铜层的厚度无特殊限制，但通常比支持铜箔薄，例如为12ym以下。 典型地为〇· 5?10 μ m，更典型地为1?5 μ m。 〈4.粗化处理〉 在极薄铜层的表面，例如为使与绝缘基板的粘附性良好等而可通过实施粗化处理设置 粗化粒子层。粗化处理例如可通过用铜或铜合金形成粗化粒子来进行。粗化处理可为精细 处理。粗化粒子层可为由选自铜、镍、钴和锌的任一单体或含有任一种以上单体的合金构 成的层。另外，可在进行粗化处理后或不进行粗化处理，用镍、钴、铜、锌的单体或合金形成 二次粒子或三次粒子和/或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联剂处理等处 理。即，可在粗化粒子层的表面形成选自防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联剂处理层的1种 以上的层，也可在极薄铜层的表面形成选自防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联剂处理层的1 种以上的层。 〈5.极薄铜箔〉 极薄铜箔具备本文档来自技高网...

【技术保护点】
极薄铜箔，其为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔，其中，采用重量厚度法测定的上述极薄铜层的厚度精度为3.0%以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.06 JP 2012-1528231. 极薄铜箔，其为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极 薄铜层的极薄铜箔，其中， 采用重量厚度法测定的上述极薄铜层的厚度精度为3. 0%以下。2. 极薄铜箔，其为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极 薄铜层的极薄铜箔，其中， 采用四探针法测定的上述极薄铜层的厚度精度为10. 〇%以下。3. 权利要求1或2的极薄铜箔，其中，在上述极薄铜层表面具有粗化粒子层。4. 极薄铜箔的制备方法，所述方法为通过处理以辊对辊输送方式在长度方向输送的 长条状支持铜箔的表面，制备具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层 上的极薄铜层的极薄铜箔的方法，包括 在用输送辊输送的支持铜箔的表面形成剥离层的工序，和 在用转筒支持用输送辊输送的形成有上述剥离层的支持铜箔的同时通过电镀在上述 剥离层表面形成极薄铜层的工序。5. 权利要求4的极薄铜箔的制备方法，其中，形成上述剥离层的工序通过在用转筒支 持用输送辊输送的上述支持铜箔的同时通过电镀在上述支持铜箔...

【专利技术属性】
技术研发人员：古曳伦也，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP