表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材制造技术

本发明专利技术涉及一种表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材。提供一种可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状的表面处理铜箔，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。提供一种基材，从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在基材，将该表面处理铜箔去除时，该基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5。提供一种树脂基材,从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。

【技术实现步骤摘要】
表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材本申请是申请号为201480041802.5，申请日为2014年7月23日，专利技术名称为“表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、树脂基材、印刷配线板、覆铜积层板及印刷配线板的制造方法”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术关于一种表面处理铜箔、附载体铜箔、基材及树脂基材。
技术介绍
半导体封装基板及印刷配线基板的电路形成法，以减成法(サブトラクティブ工法)为主流。然而，近年来，随着半导体的高集成化，使用于半导体的半导体封装基板、印刷配线基板的电路微细化也不断发展，以减成法形成微细电路越来越困难。作为对应进一步的微细配线化，下述电路形成法1～3受到瞩目：1以极薄铜箔作为供电层实施图案铜镀敷，最后通过快速蚀刻(フラッシュエッチング)将极薄铜层去除，形成配线；2于真空压机等使预浸体或增层膜(ビルドアップフィルム)硬化，对其表面进行粗面化，将适当的凹凸形成在基材面，由此形成具可靠性的微细配线；3将铜箔表面轮廓(プロファイル)转印于基材表面，将适当的凹凸形成在基材表面，由此形成具可靠性的微细配线。这些的方法，一般称为SAP法(半加成法(セミアディティブ工法))。使用铜箔表面的轮廓的SAP法，例如专利文献1的记载。作为使用此种铜箔表面轮廓的典型SAP法的示例，如下述。即，对积层在树脂的铜箔整面进行蚀刻，对蚀刻基材面进行开孔，对开孔部及基材整面或一部分实施去胶渣处理(デスミア处理)，将干膜贴附在开孔部的蚀刻面，对不形成电路的部分的干膜进行曝光、显影，用化学液将不需干膜的部分去除，对转印有未覆盖干膜的铜箔表面轮廓的蚀刻基材面实施无电镀铜、电镀铜，最后通过快速蚀刻将无电镀铜层去除，形成微细配线。专利文献1：日本特开2006－196863号公报。
技术实现思路
为了形成微细配线，优选为基材表面的轮廓小，呈平滑，但此情形时，无电镀铜被膜的密合力会变弱，而有损及半导体封装基板或印刷配线板所要求的可靠性的忧虑。另一方面，为了确保无电镀铜被膜的密合力，优选为基材表面的轮廓大，但此情形时，有损及微细配线形成性的忧虑。关于这些的点，在现有技术中并未被充分研究，而尚有改善的余地。因此，本专利技术的课题在于提供一种可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状的表面处理铜箔，及/或具备表面的轮廓形状的树脂基材，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。为了达成上述目的，本专利技术人等经反复潜心研究后，发现：使用表面处理层表面的面粗糙度(表面的最大高度)Sz被控制在既定范围的表面处理铜箔，将该表面处理铜箔贴合在形成电路的基材上后，加以去除，由此可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。又发现：通过使用表面的面粗糙度(表面的最大高度)Sz被控制在既定范围的树脂基材，而当将电路形成在树脂基材表面时，可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。本专利技术是以上述见解作为基础而完成的，例示如下。[1]一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，该表面处理铜箔满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，·该表面处理层表面的面粗糙度Sz为2～6μm，·该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.05～1.8，·从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，·从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。[2]根据[1]所述的表面处理铜箔，其满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，·在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为3μm以下，·在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为45％以下，·在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.7μm以下，·该表面处理层表面的面粗糙度Sz为3.23μm以下，·该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.2401以下。[3]根据[1]或[2]所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层为选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理(クロメート处理)层及硅烷偶合处理层组成之群中的1种以上的层。[4]根据[1]或[2]所述的表面处理铜箔，其中，在该表面处理层上具备树脂层。[5]根据[3]所述的表面处理铜箔，其中，在该表面处理层上具备树脂层。[6]一种基材，是将[1]至[5]中任一项所述的表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，然后将该表面处理铜箔去除而得，该基材满足以下的任一项或二项或三项，·该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，·该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，·该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。[7]一种附载体铜箔，依序具备有载体、中间层及极薄铜层，该极薄铜层为[1]至[5]中任一项所述的表面处理铜箔。[8]一种基材，是将[7]所述的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在基材，将该载体自该附载体铜箔去除后，将该极薄铜层去除而得，其中该极薄铜层为该表面处理铜箔，该基材满足以下的任一项或二项或三项，·该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，·该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，·该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。[9]一种树脂基材，满足以下的任一项或二项或三项，·表面的面粗糙度Sz为1～5μm，·表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，·表面的黑色面积率为10～50％，且表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm，根据本专利技术，可提供一种可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状的表面处理铜箔，及具备表面的轮廓形状的树脂基材，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。附图说明图1：显示使用铜箔轮廓的半加成法的概略例。图2：显示用以得到实施例及比较例数据的样品制作流程。图3：在(a)、(b)、(c)、(d)、(e)分别显示实施例A1、A2、A3、A5、A6的铜箔处理面的SEM像(×30000)。图4：在(f)、(g)分别显示比较例A1、A2的铜箔处理面的SEM像(×6000)。图5：在(h)、(i)、(j)、(k)、(l)分别显示实施例A1(B1)、A2(B2)、A3(B3)、A5(B5)、A6(B6)的树脂基材面的SEM像(×30000)。图6：在(m)、(n)分别显示比较例A1(B1)、A2(B2)的树脂基材面的SEM像(×6000)。具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，该表面处理铜箔满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，˙该表面处理层表面的面粗糙度Sz为2～6μm，˙该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.05～1.8，˙从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，˙从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。

【技术特征摘要】
2013.07.23 JP 2013-153010;2013.07.23 JP 2013-153011.一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，该表面处理铜箔满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，˙该表面处理层表面的面粗糙度Sz为2～6μm，˙该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.05～1.8，˙从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，˙从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，˙在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为3μm以下，˙在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为45％以下，˙在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.7μm以下，˙该表面处理层表面的面粗糙度Sz为3.23μm以下，˙该表面处理层表面的三维表面积B...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井雅史，本多美里，宫本宣明，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP