压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。[课题]提供蚀刻性和弯曲性均优异的压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。[解决手段]压延铜箔，其以质量率计包含99.9%以上的铜，在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件下进行热处理后，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。

【技术实现步骤摘要】
压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备本申请是申请号为201510301876.4（申请日为2015年6月5日）、专利技术名称为“压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备”的中国申请的分案申请。
本专利技术涉及适合用于FPC（柔性印刷基板）等的压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。
技术介绍
作为向电子设备的可动部、存在空间制约的部分进行布线的方法，可以使用FPC（柔性印刷基板）。作为FPC，可以使用将铜箔和树脂层进行层叠而成的覆铜层叠板。FPC在设备内折弯后使用，但随着设备的小型化，FPC的折弯半径变小，要求提高FPC的折弯性。另外，考虑到今后的可穿戴终端的普及，对FPC还要求疲劳特性的提高。进而，随着FPC布线的微细化，还要求在形成电路时的铜箔的蚀刻性。然而，FPC通常在铜箔进行了重结晶的状态下使用。对铜箔进行压延加工时，晶体旋转而形成压延集合组织。并且，将压延铜箔压延后进行退火或者加工至最终制品为止的工序、换言之至成为FPC为止的工序中施加热时，会发生重结晶。以下将成为该压延铜箔后的重结晶组织简称为“重结晶组织”，将施加热之前的压延组织简称为“压延组织”。需要说明的是，重结晶组织明显受到压延组织的影响，通过控制压延组织，也能够控制重结晶组织。由此，提出了如下技术：作为压延铜箔的重结晶组织而使Cube取向即（200）面（{100}）发展，提高弯曲性的技术（例如，专利文献1）。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-286760号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，铜箔的Cube取向过度发展时，存在蚀刻性降低这一问题。考虑这是因为：即使Cube集合组织发展也不会成为单晶，而处于在Cube取向的大晶粒中存在其它取向的小晶粒的混合晶粒状态，蚀刻速度因各取向的晶粒而发生变化。尤其是，电路的L/S宽度变得越短（微间距），则越会出现蚀刻性的问题。另外，Cube取向过度发展时，有时铜箔变得过于柔软、操作性差。因而，期望的是，不使Cube取向发展地提高弯曲性的技术。需要说明的是，Cube取向是纯铜系的重结晶集合取向。因此，本专利技术的目的在于，提供蚀刻性与弯曲性均优异的压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。用于解决问题的手段本专利技术人等着眼于压延铜箔的｛102｝来作为不使Cube取向发展地提高弯曲性的方法。使｛102｝在板面上发展时，能够确保与Cube取向未发展的现有电解铜箔同等的蚀刻性，并且还能够提高弯曲性和折弯性。作为｛102｝会使弯曲性和折弯性提高的理由，可以认为虽未达到Cube取向的程度，但其是杨氏模量低的取向。需要说明的是，｛100｝是指（100）面或（100）取向。即，本专利技术的压延铜箔以质量率计包含99.9%以上的铜，在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件下进行热处理后，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。本专利技术的压延铜箔优选的是，以合计10~300质量ppm含有选自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti和Zr中的1种或2种以上，余量由Cu和不可避免的杂质组成。本专利技术的覆铜层叠板是将前述压延铜箔层叠在树脂层的双面或单面而成的，在至少一者的前述压延铜箔中，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。本专利技术的柔性印刷基板是使用前述覆铜层叠板并在前述压延铜箔上形成电路而成的。本专利技术的电子设备是使用前述柔性印刷基板而成的。专利技术效果根据本专利技术，能够得到蚀刻性和弯曲性均优异的压延铜箔。附图说明图1是180°密合弯曲的试验方法的示意图。图2是弯曲试验方法的示意图。具体实施方式以下，针对本专利技术的实施方式所述的压延铜箔进行说明。需要说明的是，本专利技术中，%在没有特别限定的条件下是表示质量%。本专利技术的实施方式所述的压延铜箔对于将其与树脂层叠而制成覆铜层叠板后利用蚀刻去除电路部分以外来制成FPC的用途是有用的。<组成>压延铜箔以质量率计包含99.9%以上的铜。作为这种的组成，可列举出JIS-H3510（C1011）或JIS-H3100(C1020)中规定的无氧铜、JIS-H3100（C1100）中规定的韧铜、或者JIS-H3100(C1201和C1220）中规定的磷脱氧铜。需要说明的是，铜中包含的含氧量的上限没有特别限定，一般来说为500质量ppm以下、进而通常为320质量ppm以下。进而，可以合计含有10~300质量ppm的选自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti和Zr中的1种或2种以上元素。为了使｛102｝发展，需要在压延铜箔的中间退火（最终冷轧前的退火）中使｛112｝发展，添加这些元素时，用于通过中间退火而使｛112｝发展的条件范围变宽、能够更确实地使｛102｝发展，并且容易制造。上述元素的合计量不足10质量ppm时，利用中间退火使｛112｝发展的效果少，超过300质量ppm时，有时导电率降低且重结晶温度上升，难以在最终压延后的退火中抑制铜箔的表面氧化且使其重结晶。<厚度>铜箔的厚度优选为4~100μm、进一步优选为5~70μm。厚度不足4μm时，有时铜箔的操作性差，厚度超过100μm时，有时铜箔的弯曲性差。<铜箔表面的｛102｝>以350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件进行热处理后，压延铜箔的表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。需要说明的是，压延铜箔的“表面”是指以电解研磨对最外表面进行0.5~2μm研磨后的表面。此处，蚀刻（尤其是软蚀刻）受到铜箔表面的晶粒的面取向所影响。另外，弯曲性和折弯性也是对铜箔表面施加最大的应变而产生的。由此，规定铜箔表面（压延面）的｛102｝的发展程度。但是，铜箔表面存在氧化层、防锈层等而需要将它们去除时，将去除后的表面视作铜箔表面。通常可以认为将铜箔表面的厚度去除1μm以下时，能够测定面取向，取向在去除前后没有差异。另外，能够将与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒视作｛102｝附近的面取向，因此这样地规定。与｛102｝的角度差超过10度时，与｛102｝的差变大。另外，压延铜箔通常以“压延组织”的状态出货、制造覆铜层叠板时，在与树脂层进行贴合时发生重结晶而形成重结晶集合组织。因此，为了评价覆铜层叠板的弯曲性、折弯性、蚀刻性，需要将压延铜箔的“重结晶组织”作为对象。另一方面，重结晶组织不仅取决于压延组织，还会因重结晶时的温度条件而大幅变化。因而，在覆铜层叠板的代表性制法中，将压延铜箔所受到的热历程在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟中的任一条件下模拟性地重现，表示在覆铜层叠板中重结晶而成的铜箔的状态。因此，热处理自身是在3个条件之中的仅任一个条件下进行的，不是进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.压延铜箔，其是以质量率计包含99.9%以上的铜的压延铜箔，/n在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件下进行热处理后，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。/n

【技术特征摘要】
1.压延铜箔，其是以质量率计包含99.9%以上的铜的压延铜箔，
在350℃×1秒、350℃×20分钟或200℃×30分钟之中的任一条件下进行热处理后，表面与｛102｝存在10度以内的角度差的晶粒的比例为1%以上且50%以下。


2.权利要求1所述的压延铜箔，其中，合计含有10~300质量ppm的选自Ag、Sn、Zn、Ni、Ti和Zr中的1种或2种以上，余量由Cu和不可避免的杂质组成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：冠和树，青岛一贵，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP