一种半导体封装件的制法，包括：于一承载板上形成离型层及形成于该离型层上的粘着层，然后于该粘着层上设置多个半导体芯片，并形成封装胶体于该粘着层上，藉以包覆该等半导体芯片，之后于该封装胶体上设置基板，并从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板，最后将该粘着层移除。本发明专利技术的半导体封装件的制法可有效避免光线照射至半导体芯片。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种半导体封装件的制法，尤指一种避免光线破坏半导体芯片的半导体封装件的制法。
技术介绍
现今，随着科技发展的进步，电子产品的业者纷纷开发出各种不同实施例的半导体封装件，目前半导体芯片的尺寸趋于微小化，因此，须不断地改进与克服半导体封装件的工艺技术，以与微小化的半导体芯片配合，并符合现代科技产品轻薄短小的趋势。请参阅图1A至图1E，其为现有第7202107号美国专利的半导体封装件的制法的剖面示意图。如图1A所示，提供一承载板10，且该承载板10上设有例如热剥离胶带（Thermal Release Tape）的粘着层11。如图1B所示，提供多个半导体芯片12粘贴于该粘着层11上。如图1C所示，形成封装胶体13于该粘着层11上，以包覆该等半导体芯片12。如图1D所示，加热以移除该承载板10与该粘着层11。如图1E所示，于该封装胶体13的底面上形成电性连接该半导体芯片12的线路层14。不过，前述现有的半导体封装件的制法的将半导体芯片粘贴于该热剥离胶带上时，容易因为该热剥离胶带的热膨胀系数与模压时经由模流的冲击而造成该半导体芯片偏移的问题，造成后续制作重布线路层时，因芯片偏移使得部份重布线路层因偏移而没有与芯片电性连接，进而造成产品的信赖度不佳，所以利用该热剥离胶带也将导致制造成本无法降低。因此，如何克服现有技术的种种问题，实为一重要课题。
技术实现思路
<br>为解决上述现有技术的种种问题，本专利技术揭露一种半导体封装件的制法，可有效避免光线照射至半导体芯片。本专利技术的半导体封装件的制法包括：提供一承载板上形成离型层及形成于该离型层上的粘着层；于该粘着层上设置多个半导体芯片；形成封装胶体于该粘着层上，以包覆该等半导体芯片；以及从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板。前述的半导体封装件的制法中，还包括于该离型层和该粘着层之间形成有金属层。前述的半导体封装件的制法中，于移除该离型层之后，还包括移除该金属层。前述的半导体封装件的制法中，该金属层的厚度为1微米。前述的半导体封装件的制法中，还包括移除该粘着层，移除该金属层与粘着层的方式为蚀刻或化学方法，且该蚀刻为电浆蚀刻或化学蚀刻。前述的半导体封装件的制法中，还包括于照射该光线之前，于该封装胶体上设置基板，以令该封装胶体夹置于该基板和该粘着层之间。前述的半导体封装件的制法中，该粘着层中还分布有多个金属粒子。前述的半导体封装件的制法中，该承载板的材质为玻璃。前述的半导体封装件的制法中，该基板的材质为玻璃或硅。前述的半导体封装件的制法中，该离型层的材质为非晶硅（Amorphous Silicon）、聚对二甲苯基（Parylene）或非晶相-二氧化硅（α-SiO2）。前述的半导体封装件的制法中，该光线为激光。前述的半导体封装件的制法中，还包括移除该基板。前述的半导体封装件的制法中，还包括于该封装胶体上形成电性连接该半导体芯片的增层结构。前述的半导体封装件的制法中，各该金属粒子由氧化硅球体与形成于该氧化硅球体表面的金属涂布层所构成。前述的半导体封装件的制法中，该激光的波长为532纳米。前述的半导体封装件的制法中，该粘着层包括核心铜层与其两相对表面上的粘着膜。依上所述，本专利技术的半导体封装件的制法通过照射光线以破坏离型层，进而移除离型层与承载板，并且可再通过金属层、具有多个金属粒子的粘着层或具有核心铜层的粘着层来防止光线照射至半导体芯片与封装胶体，而可避免该封装胶体与半导体芯片被光线的能量破坏，达到保护该封装胶体与半导体芯片的效果，故可顺利的进行后续的工艺并增进产品良率。附图说明图1A至图1E为显示现有半导体封装件的制法的剖视示意图。图2A至图2H为本专利技术的半导体封装件的制法的第一实施例的剖面示意图。图3为本专利技术的半导体封装件的制法的第二实施例的剖面示意图。图4为本专利技术的半导体封装件的制法的第三实施例的剖面示意图。图5为本专利技术的半导体封装件的制法的第四实施例的剖面示意图。图6为本专利技术的半导体封装件的制法的第五实施例的剖面示意图。符号说明10、20 承载板11、23、23’、43 粘着层12、24 半导体芯片13、25 封装胶体14 线路层21、51 离型层22 金属层26 基板30 金属粒子30a 氧化硅球体30b 金属涂布层431 核心铜层432 粘着膜a 光线。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如「上」、「一」及「侧」等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。第一实施例以下将配合图2A至图2H以详细说明本专利技术的半导体封装件的制法的第一实施例的剖面示意图。如图2A所示，提供一承载板20，且于该承载板20上形成有离型层21，而该承载板20的材质为玻璃，另外该离型层21的材质为非晶硅（Amorphous Silicon）、聚对二甲苯基（Parylene）或非晶相-二氧化硅（α-SiO2），该离型层21可通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD）方式形成。如图2B所示，于该离型层21上形成金属层22，且通过例如电浆辅助化学气相沉积（Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition,PEC本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装件的制法，包括：提供一承载板，该承载板上形成有离型层及形成于该离型层上的粘着层；于该粘着层上设置多个半导体芯片；形成封装胶体于该粘着层上，以包覆该等半导体芯片；以及从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板。
【技术特征摘要】
2012.11.13 TW 101142157;2013.05.07 TW 1021161651.一种半导体封装件的制法，包括：
提供一承载板，该承载板上形成有离型层及形成于该离型层上的
粘着层；
于该粘着层上设置多个半导体芯片；
形成封装胶体于该粘着层上，以包覆该等半导体芯片；以及
从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该
粘着层中还分布有多个金属粒子。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件的制法，其特征在于，各
该金属粒子是由氧化硅球体与形成于该氧化硅球体表面的金属涂布层
所构成。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该
离型层和该粘着层之间还形成有金属层。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制法，其特征在于，于
移除该离型层之后，还包括移除该金属层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，移
除该金属层的方式为蚀刻或化学方法。
7.根据权利要求4所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该
金属层的厚度为1微米。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该
制法还包括于照射该光线之前，于该封装...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪杰元，黄荣邦，陈彦亨，许习彰，张江城，邱世冠，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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