一种微腔量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）先在量子级联激光器材料上沉积二氧化硅；（Ｂ）然后光刻、湿法腐蚀二氧化硅，露出所需电极形状；（Ｃ）沉积电极；（Ｄ）进行二次套刻，形成微腔激光器的外部形状；（Ｅ）分步湿法腐蚀...

本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：（１）采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；（２）金属有机化合物化学汽相淀积外延生长...

一种平面型光子晶体波导分布反馈激光器，其中包括：一衬底；一过渡层用金属有机化学气相淀积方法生长在衬底上；一ＩｎＧａＡｓＰ下势垒层生长在过渡层上；一多量子阱有源区生长在ＩｎＧａＡｓＰ下势垒层上；一ＩｎＧａＡｓＰ上势垒层生长在多量子阱有源区...

本发明属于光纤通信技术领域，更具体说是利用Ｌ型支架对半导体激光器与光纤进行固定连接的同轴封装器件。半导体激光器同轴器件的Ｌ型支架封装，包括：管壳７，该管壳７为一圆形壳体；管座１固定在管壳７的一端；Ｌ支架１０固定在管壳７内的管座１的一面；...

本发明属于半导体光电器件（尤其激光器）制作技术领域，特别是一种适合于大批量生产的激光器ＣＯＤ消除方法，涉及到一种光非吸收窗口的制作工艺技术，该工艺源于锌杂质扩散诱导量子阱加速混杂原理。根据量子阱混杂原理，利用锌原子在Ⅲ－Ⅴ族半导体化合物...

一种脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构，包括：一ＳＯＩ材料；一脊形波导，该脊形波导做在ＳＯＩ材料上；一Ｐ型硅，该Ｐ型硅制作在脊形波导的一侧边；一Ｎ型硅，该Ｎ型硅制作在脊形波导的另一侧边；一光子晶体后端反射镜，该光子晶体后端...

一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤３：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿２～５分钟；步骤４：然后进...

一种２．５维光子晶体面发射激光器，包括：一晶片；一第一ＤＢＲ层，该ＤＢＲ层制作在晶片上；一下包层，下包层制作在第一ＤＢＲ层上；一有源层，该有源层制作在下包层上，该有源层上通过刻蚀工艺形成周期性的光子晶体结构；一上包层，该上包层制作在有源...

一种高注入效率大功率８０８ｎｍ量子阱半导体激光器结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一Ｎ型下限制层，该Ｎ型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子...

一种电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法，包括：在衬底上生长ｎ型磷化铟缓冲层等；腐蚀晶片上最上面的１．１Ｑ层，生长缓冲层；在整个晶片上面生长二氧化硅保护层，腐蚀去掉两端模斑转换器的二氧化硅保护层；使用热耙低能磷离子注入；重长二氧化硅保...

利用量子阱混杂作模斑转换分布反馈布拉格激光器的方法，包括以下步骤：在衬底上生长ｎ型磷化铟缓冲层等；用二氧化硅把分布反馈布拉格－激光器掩蔽，在模斑转换器区的本征铟磷注入缓冲层产生点缺陷；腐蚀掉分布反馈布拉格－激光器的二氧化硅保护层；对晶片...

一种大功率９８０ｎｍ量子阱半导体激光器半无铝结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，为Ｎ－镓砷材料；一Ｎ型下限制层，该Ｎ型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层...

一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一Ｐ型硅，该Ｐ型硅制作在绝...

一种铟砷／镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤３：在外延层...

本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是该器件内集成了电吸收调制器和分布布拉格反射半导体激光器的制作方法。其方法是结合了选区外延生长（ＳＡＧ）和量子阱混杂技术（ＱＷＩ）的优点，通过选区外延生长的方法形成器件的增益区和调制器区，用量子阱混杂...

本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基ＤＢＲ激光器及其工艺。本发明采用ＳＯＩ晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用ＰＮ结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置ＤＢＲ布拉格全反...

一种离子注入砷化镓吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘砷化镓衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的背面镀有高反膜；一吸收区，该吸收区是通过砷离子注入到衬底上并且退火而产生；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上。本发明可用于波长为一微米附近的固体激...

一种砷化镓基１．５微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一ＧａＡｓ过渡层；一第一ＧａＡｓ势垒层，该第一ＧａＡｓ势垒层制作在ＧａＡｓ过渡层上；一第一ＧａＮＡｓ势垒层，该第一ＧａＮＡｓ势垒层制作在第一ＧａＡｓ势垒层上；一ＧａＩ...

本发明一种偏镓砷（１００）衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷（１００）衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷（１００）衬底上，在ＧａＡｓ缓冲层表面上得到多原子台阶；一ＩｎＡｓ量子点层，该ＩｎＡｓ量子点层制作在镓...

一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波...