一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制...

一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；（Ｂ）在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；（Ｃ）涂光刻胶，刻蚀出条形；（Ｄ）带胶进行...

一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜镀在吸收区上。本发明可由于固体激光器的被...

一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一吸收区，该吸收区制作在布拉格反射镜上，采用常温生长的吸收区，非饱和损...

一种８００ｎｍ布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，形成第一吸收区；该第一吸收区采用...

一种表面高反型半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，起光吸收和光生载流子弛豫的作用...

一种中间镜式半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一量子阱，该量子阱制作在缓冲层上，该量子阱起光吸收作用，也起载流子弛豫作用；一上增透膜，该增透膜制作在量子阱上；一下增透膜，该增透膜制作在减薄后的...

一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱有源区制作在波导...

一种谐振腔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：将光纤谐振腔装在镀膜架上；在光纤谐振腔的一端或两端镀上多层膜系，构成双色膜；形成光纤激光器谐振腔。

一种铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上，起到光场限制作用；一有源区，该有源区制作在下波导层上，该有源区为发光区...

一种增益钳制的半导体光放大器，其特征在于，其中包括：一个半导体光放大器；一输入光纤，该输入光纤上制作有一段光纤光栅，该输入光纤与半导体光放大器的输入端耦合；一输出光纤，该输出光纤上制作有一段光纤光栅，该输出光纤与半导体光放大器的输出端耦...

一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤１：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤２：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤３：对含量子阱结构的解理面进行表...

一种低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上。本发明可用于波...

一种磷化铟基量子级联半导体激光器，包括：一Ｎ型磷化铟衬底；一Ｎ型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在Ｎ型磷化铟衬底上；一３５个周期铟镓砷／铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上；一Ｎ型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有源区上；一Ｎ型磷...

一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中Ｉｎ、Ｇａ及Ｉｎ、Ａｌ的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷...

一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括：利用金属有机物化学气相淀积的方法在ｎ型ＩｎＰ衬底上依次外延下限制层，多量子阱，上限制层，ＩｎＰ缓冲层；淀积介质膜；掩膜光刻制作注入保护图形，在增益区留下介质膜，其余区域腐蚀掉介质膜；进...

本发明提出了一种在Ｓｉ基片上生长高密度超小型Ｇｅ量子点的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在Ｓｉ基片上生长Ｓｉ缓冲层，改善衬底晶体质量；（２）降低生长温度，生长Ｇｅ浸润层；（３）中断１０～４０秒，抽走反应气体；（４）在Ｇｅ浸润层上通...

一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤２：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤３：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器...

一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下制作步骤：步骤１：在ｎ型磷化铟衬底上外延生长ｎ型磷化铟缓冲层、下波导层、２．４μｍ磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，ｐ型磷化铟包层和高掺杂ｐ型铟镓砷...

一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下步骤：在ｎ型磷化铟衬底上依次外延生长ｎ型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；去掉最上面的磷化铟本征层，用ＳｉＯ↓［２］把激...