选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法技术

一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤２：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤３：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量子阱层；步骤４：二次外延完成整个电吸收调制激光器结构的生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是指一种选择区域(SAG)叠层EML结构的制作方法，该制作方法工艺简单并具有低阈值电流的单片集成电吸收调制分布反馈激光器(EML)。
技术介绍
电吸收调制器(EAM)与分布反馈(DFB)激光器(LD)的单片集成器件EML是光纤通讯系统尤其是长途高速干线中的重要发射光源。目前制作EML集成光源器件的主要方法之一是对接耦合(Butt-Joint)方法，例如国际上NEC、Hitachi、AT&T、Lucent、France Telecom等著名的公司都采用这种方法研制EML。在该方法中，EAM有源层和LD有源层是通过两次外延分别生长(如US5.459.747专利)的，这样有利于两个有源层结构参数的选取，作出的EML器件特性好。但是Butt-Joint方法需要进行多次外延生长，制作工艺复杂，工艺精度要求十分高，另外，两次分别生长的有源区之间的对接界面，也就是EAM有源层与激光器(LD)有源层间的对接界面，常常导致孔洞或凸缘等晶体质量问题，使得EML的成品率低，制作成本高。近十多年来，以降低成本、简化制作工艺为目的，研制EML器件的工作基点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤２：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤３：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量子阱层；步骤４：二次外延完成整个电吸收调制激光器结构的生长。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱洪亮，李宝霞，张靖，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]