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一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤２：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤３：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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