一种半绝缘衬底长波长半导体激光器，主要包括：Ｐ面电极部分和Ｎ面电极部分以及两者间的隔离沟道；其中，Ｐ面电极部分和Ｎ面电极部分主体包括：一半绝缘铟磷衬底；一低压金属有机化合物气相沉积法生长的激光器材料结构，该激光器材料结构制作在半绝缘铟磷...

一种利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法，包括：在衬底上依次外延生长电极接触层，光限制层，波导层，发光有源区，波导层，光限制层和电极接触层；刻蚀电极接触层，制备Ｐ型欧姆接触电极；将衬底减薄；将激光器管芯分割；利用倒装焊技术将分割好...

一种用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、ｎ－型调制掺杂多量子阱有源区、上限制层以及盖层；步骤２：在盖层上生长二氧化硅层；步骤３：光刻腐蚀出斜角条形结构；步骤４：在斜角条形...

本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备Ｐ型氧化锌（ＺｎＯ）半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配，在氧化锌和氧化镁锌超晶格之中调制掺入Ｐ型杂质并退火。利用氧化锌和氧化镁锌之间的应变以及由应...

本发明涉及半导体材料技术领域，是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤：ａ）首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层；ｂ）然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层；ｃ）用卤化物气相外延工艺生长一层氮化...

本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法包括：ａ）将多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器在同一磷...

一种激光器－电吸收调制器－模斑转换器的制作方法，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、空间层、本征层；用ＰＥＣＶＤ技术在本征层上生长二氧化硅；去掉本征层，第二次生长有源区及本征层，同时刻出模斑转换器的上波导结构；刻出模斑转换器的下...

一种Ⅲ族氮化物衬底的生产设备，为复合型ＭＯＣＶＤ－ＨＶＰＥ设备。在金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）设备中封闭生长室内设有金属舟，金属舟内装有金属，另有氯化氢气体通过金属舟，具有卤化物气相外延功能，使设备同时具有金属有机物化学气相淀积...

一种数字多功能光盘用大功率６５０ｎｍ半导体激光器，包括：一衬底用于在其上进行激光器材料结构外延生长；一缓冲层制作在衬底上；一Ｎ型包层制作在缓冲层上，限制载流子泄漏；一有源区层，该有源区层制作在包层上；一第一Ｐ型包层制作在有源区层上，限制...

本发明涉及一种半导体泵浦的太赫兹激光脉冲发生器。包括在光路上依次放置泵源、耦合腔半导体激光器和非线性激光晶体，其特征在于：通过泵源泵浦耦合腔半导体激光器产生两束相位在时间和空间上都相干且波长相差在一定范围的单模激光，这两束激光在非线性光...

一种无铝１．３μｍ铟砷／镓砷量子点激光器，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在...

本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤２：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤３：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤４：在该砷化铟叠层上外延生长...

本发明一种近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器，包括：在该激光器出射表面镀有能形成纳米微小孔径的金属膜层，该金属膜层上具有一个亚波长量级的微小孔径，其特征在于，其中，在微小孔径中填充有高折射率的物质。

本发明涉及光电子器件制造工艺技术领域，是具有微波光子晶体结构的共面波导在高速光电子器件中的使用。使用一种热沉在其上面制作共面微波微带电路、背光探测电路和温度探测电路，并在热沉背面覆镀导体地平面。在热沉上使用背面接地的共面波导，共面波导中...

一种制备长波长大应变铟镓砷／铟镓砷磷量子阱激光器的方法，包括如下步骤：步骤１：在ｎ型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤２：采用ＰＥＣＶＤ法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤３：采用ＭＯＣＶＤ法在磷化铟缓...

一种半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：－衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；－布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；－多量子阱，采用低温生长技术该量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱由多对单量子阱构...

一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：一衬底片；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在衬底片上，在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形；一缓冲层，该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间；一下限制层，该下限制层...

本发明涉及半导体激光器技术领域，一种高光功率密度８０８ｎｍ大功率量子阱半导体激光器结构提出了一种高光功率密度８０８ｎｍ大功率量子阱半导体激光器结构，包括衬底１，缓冲层２，Ｎ型下限制层３，下波导层４，下垒层５，量子阱层６，上垒层７，上波导...

本发明涉及半导体激光器技术领域，一种高可靠性９８０ｎｍ大功率量子阱半导体激光器结构。包括衬底１，缓冲层２，Ｎ型下限制层３，下波导层４，下垒层５，量子阱层６，上垒层７，上波导层８，Ｐ型上限制层９，过渡层１０，电极接触层１１。它能够得到高质...

本发明属于光电子技术领域，一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷（ＡｌＩｎＧａＡｓ）材料掩埋脊波导结构（ＢＲＳ）分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为：在铟磷（ＩｎＰ）衬底上制作吸收型光栅；采用窄条选择外延生长技术自动生成铝铟...