一种集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器，包括：一衬底；一下布拉格反射镜制作在衬底上；一下限制层制作在下布拉格反射镜上；一下波导层制作在下限制层上，该下波导层是带隙波长为１．２微米的铟镓砷磷材料；一有源区制作在下波导层上；一上波导层制...

一种大功率６５０ｎｍ量子阱半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：（１）激光器一次外延：在衬底上依次外延生长缓冲层、Ｎ型包层、有源区、第一Ｐ型包层、腐蚀阻挡层、第一Ｐ型包层和ＧａＡｓ保护层；（２）制作脊形波导：在ＧａＡｓ保护层中间光刻出一...

一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤１：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤２：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长Ｎ型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤３：在下欧姆接触层上生长有源区，...

一种氮化镓基蓝光激光器的制作方法，包括在蓝宝石衬底上依次外延生长氮化镓缓冲层、Ｎ型氮化镓层、Ｎ型覆盖层、Ｎ型波导层、有源区多量子阱层、Ｐ型波导层、Ｐ型覆盖层、Ｐ型氮化镓层，形成氮化镓激光器结构；刻蚀，形成脊型波导；制备绝缘保护层和Ｐ型电...

本发明公开了一种量子点材料结构，该结构包括：用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓ＧａＡｓ衬底（１０）；在ＧａＡｓ衬底（１０）上生长的外延层结构，包括缓冲层（１１、１２、１３）和ＩｎＡｓ量子点层（１４）；其中，所述缓冲层包括在衬底上依次生长...

一种微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤１：取一普通垂直腔面发射激光器，该激光器包括，Ｎ面电极、出光腔面、出光孔、Ｐ面电极；步骤２：在普通垂直腔面发射激光器的出光腔面上制备增透膜；步骤３：利用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀掉Ｐ...

本发明公开了一种制作氮化镓基激光器管芯的方法，该方法包括：Ａ．在制作的激光器外延结构的表面蒸镀Ｐ型欧姆接触电极；Ｂ．利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了Ｐ型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的Ｎ型接触区域；Ｃ．利用光刻胶作掩膜刻蚀出...

一种一微米波长ＴＨｚ辐射发射芯片，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多...

本发明公开了一种用于产生毫米波的集成芯片，该集成芯片包括：第一分布反馈激光器１、第二分布反馈激光器２和３ｄＢ耦合器３，所述第一分布反馈激光器１和第二分布反馈激光器２分别集成在３ｄＢ耦合器３相互平行的双臂上，且所述第一分布反馈激光器１、第...

一种制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法，其中包括：步骤１：取一ｐ－型或ｎ－型硅基衬底；步骤２：在ｐ－型或ｎ－型硅基衬底表面制备一层硅基薄膜；步骤３：在硅基薄膜中形成纳米尺度硅基化合物量子点，硅基化合物量子点的尺寸小于２０纳米。本发...

本发明一种基于ＴＭ模激射的圆柱形结构的微盘激光器，其特征在于，该结构包括：一衬底；一下限制层，该下限制层生长或键合在衬底上，采用同种材料或晶格匹配的材料，该下限制层的上半部经刻蚀成为圆柱形结构；一有源区，该有源区制作在下限制层的上半部，...

一种输出波长与功率稳定的可调谐单频掺铒光纤环形腔激光器，包括：一掺铒光纤放大器；一偏振控制器与掺铒光纤放大器连接；一１×２的光耦合器用单模光纤与偏振控制器连接；一２×２的光耦合器用单模光纤与１×２的光耦合器连接，该２×２的光耦合器的另两...

一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上；一上Ｎ型电极，该上Ｎ型电极制作在散热片上的中间处；一上Ｎ型ＤＢＲ层，该上Ｎ型ＤＢＲ层为一倒梯形，该上Ｎ型ＤＢＲ层制作在上Ｎ型电极上；一高铝组分氧化限...

一种双区分布布拉格反射镜半导体激光器的结构和制备方法，使用了工艺相对三区ＤＢＲ－ＬＤ简单一些的双区结构，即只有增益区和光栅区，舍去了相位区，其结构由Ｎ型电极、Ｎ型ＧａＡｓ衬底、Ｎ型ＧａＡｓ缓冲层、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下盖层、非掺ＡｌＧａＡｓ...

一种分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺，是利用反应离子刻蚀技术，其主要步骤为：Ａ）用全息曝光的方法在ＧａＩｎＰ材料上形成干涉条纹并显影，坚膜；Ｂ）将已显影的样品放入反应室内，反应气体为ＣＨ↓［４］／Ｈ↓［２］／Ａｒ，其中：ＣＨ...

一种制造具有表面等离子调制效应的垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源的方法，是在普通垂直腔面发射激光器的基础上制备得到的。具体工艺包括在普通垂直腔面发射激光器出光腔面上生长一层增透膜，用聚焦离子束刻蚀的方法在出光孔范围内腔面的增透膜上制备...

本发明一种双频光纤激光器，其特征在于，包括：一泵浦源，用于泵浦有源光纤，实现粒子数反转；一隔离器，该隔离器的输入端和泵浦源的输出端相连接，用于隔离反向传播的光，稳定泵浦源的输出和保护泵浦源；一有源谐振腔，该有源谐振腔的输入端与隔离器的输...

本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种ＳｉＧｅ弛豫衬底材料，该ＳｉＧｅ弛豫衬底材料由Ｓｉ衬底和在Ｓｉ衬底上外延生长的ＳｉＧｅ组分渐变缓冲层构成，且在所述ＳｉＧｅ组分渐变缓冲层中插入有ｎ个无应变ＳｉＧｅ隔离层，所述无应变ＳｉＧｅ隔离层将...

本发明一种可调谐掺铒光纤环形腔激光器，能输出稳定的波长与功率，涉及光纤通信技术。本发明的可调激光器和隔离器通过第一光耦合器的输入端与环形腔相连；ＷＤＭ耦合器将９８０ｎｍ泵浦光耦合进掺铒光纤增益介质；第二光耦合器为输出端口；通过控制相移光...

一种ＧａＡｓ基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤１：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤２：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤３：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处...