本发明公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器。该方法包括：１）在半导体芯片上依次放置一二维半导体光子晶体激光器和一二维半导体光子晶体波导；２）利用泵浦源泵浦半导体光子晶体激光器，产生边发射激光；３...

一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤１：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤２：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤３：在下...

本发明公开了一种在第五能级之下的低频区域拥有大绝对禁带的正方晶格二维光子晶体。与通常人工设计的光子晶体原胞有所不同，原胞被分割为１０×１０个包含高折射率和低折射率介电材料的正方形象素结构，高折射率介电材料和低折射率介电材料以一定的规律分...

一种半导体吸收镜被动锁模激光器的准Ｚ型腔结构光路，其中包括：一半导体泵浦系统，该半导体泵浦系统的泵浦波长是８０８ｎｍ；一激光晶体，该激光晶体作为激光介质的同时兼作为激光腔的两个端镜之一；一折叠腔镜，该折叠腔镜位于激光晶体的前端，将激光晶...

一种光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反...

本发明涉及一种光纤激光器的侧面泵浦方法，该方法利用特定参数的飞秒级脉冲激光器在双包层光纤侧面斜向打孔，再用若干半导体激光二极管耦合器件嵌入，然后在双包层光纤的两端面加上前、后腔镜，形成谐振，最终实现光纤激光器激光输出。本发明的优点是，１...

一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一ｎ型磷化铟衬底；一ｎ型铟镓砷下波导层制作在ｎ型磷化铟衬底上；３５个周期铟镓砷／铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一ｎ型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一ｎ型铟铝砷上包层制作在ｎ型铟镓砷上波导层上...

本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对Ⅲ／Ⅴ－Ｓｉ晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Ｓｉ和ＩｎＰ晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片清洗阶段；预键合阶段...

本发明涉及一种波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件，采用磷化铟／铟镓砷磷材料体系，包括依次连接的光放大器、Ｙ型耦合器和２＊２分布反馈激光器阵列；其中２＊２分布反馈激光器阵列在上波导层上制作有２＊２矩阵排列的四个不同周期的布拉格光栅。本...

本发明一种提高氧化铝／砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）在半绝缘砷化镓（１００）衬底上，使用分子束外延的方法外延生长２００ｎｍ的砷化镓缓冲层；（Ｂ）在砷化镓缓冲层上生长７个周期的砷化铝／砷化镓分布布拉...

一种长波长垂直腔面发射激光器的结构，包括：一衬底，该衬底为Ｎ型ＩｎＰ衬底；一缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射镜制作在缓冲层上，该下布拉格反射镜用于反射激光腔内的光来形成激光振荡；一有源区，该有源区制作在下布拉格反射镜上，用来形成光增益...

一种ＧａＡｓ基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔...

一种用于垂直腔面发射激光器ＴＯ封装用的管座，其特性在于，其中包括：一基座，该基座为圆形，在基座的上表面有一斜面，该斜面用于固定光电探测器芯片；该基座上开有多个圆孔，该圆孔中固定有多个管脚。该结构设计不仅可以消除光电探测器反射光对器件性能...

一种半导体量子点／量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带隙小于上述下势垒层以及下述间隔势垒层的带隙；一间隔势垒层，该间隔势垒...

一种宽光谱砷化铟／砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有...

一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利用刻蚀方法在平行...

一种掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在衬底上大面积制作吸收型增益耦合光栅；（２）利用等离子体化学气相沉积技术，在外延片上生长介质膜，采用光刻腐蚀技术，制作介质掩模图形；（３）利用窄条选择外延生长...

本发明一种制作半导体微盘激光器的方法，包括如下步骤：（１）在清洗干净的结构片表面涂上光刻胶；（２）通过光刻和显影技术，将所需的图形转移到光刻胶上；（３）通过非选择性湿法腐蚀或者干法刻蚀，根据模式频率及品质因子与刻蚀深度的变化关系，选择优...

一种波长为８５２ｎｍ的分布反馈激光器的结构，包括：在Ｎ型ＧａＡｓ衬底上依次制作的Ｎ型ＧａＡｓ缓冲层、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下盖层、Ｎ型ＧａＡｓ缓冲层、非掺ＡｌＧａＡｓ下波导层、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下盖层、非掺ＡｌＧａＡｓ下垒层、非掺ＡｌＧａＡｓ下...

本发明一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一量子级联激光器谐振腔，该量子级联激光器谐振腔制作在衬底上；一一维光子晶体结构，该一维光子晶体结构由深刻蚀形成的空气介质与激光器材料介质交替重复多个周期...