本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄氮化铪可协变层，该薄氮化铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生...

一种ＴＯ封装的垂直腔面发射激光器，其中包括：一热沉，该热沉为矩形，该热沉的一端为一斜面；一探测器芯片，该探测器芯片固定在热沉一端的斜面上；一激光器芯片，该激光器芯片固定在热沉一端的平面上；一管座，该管座为一圆形，该管座的上面开有两个通孔...

一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤１．取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤２．把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体ＧａＡｓ衬底；步骤３．将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进...

一种半导体激光器热沉，其特征在于，包括：一底座，该底座为矩形，该底座的下面有一凹槽；一主体，该主体的两侧纵向分别有一凹缺；该主体的两侧横向分别有一凹部；该主体上部有半圆形缺口，该半圆形缺口用于排列半导体激光器的ｂａｒ条；该主体两侧的凹部...

本发明一种基于超短腔光纤激光器的光纤加速度传感器，其特征在于，包括：一等强度悬臂梁，该等强度悬臂梁为一等腰三角形，将端部惯性力转化为表面均匀的应变；一惯性质量块，该惯性质量块固定在等强度悬臂梁的端部，用于产生惯性力；一光纤激光器，该光纤...

一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤３：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的Ｐ型焊接电极；步骤４：在保留有绝缘介质膜...

一种氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤１：取一绝缘衬底；步骤２：在该绝缘衬底上的一侧利用化学腐蚀或干法刻蚀的方法将部分区域刻蚀到一深度形成台面结构；步骤３：用光刻的方法在该绝缘衬底上和形成的台面结构...

一种提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上，其作用是屏蔽来自衬底的缺陷和使生长平面平整；一量子阱层制作在缓冲层上面，以生长时产生应力弛豫，并将这一应力弛豫导入其上面的量子点层，使浸润层厚度减小；...

一种模式相干的双模半导体激光器结构，其中包括：一基底；一缓冲层，该缓冲层制作在基底上；一下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下限制层上，该多量子阱有源层为五段结构，两端为锯齿状，中间为平面结构，在...

一种以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法，其特征在于，该方法包括以下制备步骤：步骤一：选择一衬底，在该衬底上面蒸镀二氧化硅层；步骤二：在二氧化硅层的上面涂一层光刻胶，在光刻胶上电子束曝光刻出所需图形结构；步骤三：对样品进行干法刻蚀，将所...

本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，包括：在Ｎ型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；在外延片...

本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：Ａ．在Ｎ型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；Ｂ．在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质...

一种高增益、低噪声９８０ｎｍ半导体微腔光放大器结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行光放大器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射器，该下布拉格反射器制作在缓冲层上；一下垒层，该下垒层制作在下布拉...

一种带输出波导的正方形微腔激光器，其特征在于，其中包括：一衬底，该衬底为一矩形；一谐振腔，该谐振腔为正方形，该谐振腔制作在衬底上；一条形输出波导，该条形输出波导制作在衬底上，并与谐振腔的一个侧面的中间相连接；其中该谐振腔和条形输出波导的...

一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸＋氟化氨＋Ｈ↓［２］Ｏ混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧...

一种获得高均匀性（Ｉｎ）ＧａＡｓＰ／（ＡｌＧａ）↓［０．５］Ｉｎ↓［０．５］Ｐ外延片的生长方法，包括：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；分别以Ⅲ族金属有机源和Ⅴ族氢化物源为先驱源，在载气带动...

一种７８０ｎｍ～８５０ｎｍ无铝激光器外延片的生长方法，包括：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；分别以Ⅲ族金属有机源和Ⅴ族氢化物源作为先驱源，由载气带动进入反应室，在Ｎ型镓砷衬底上依次外延生长...

本发明涉及光电子技术领域，公开了一种二极管激光泵浦头，包括：采用侧面光泵浦形式将半导体激光器列阵器件发出的光均匀地照射在激光晶体上的一多边形密闭型泵浦腔；位于所述多边形密闭型泵浦腔内部的一激光晶体；用于给二极管激光泵浦头进行制冷，中心被...

本发明涉及光电子技术领域，公开了一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，该方法包括：将大功率半导体列阵器件（１２）封装在单片微沟道热沉（１３）上，形成单片微沟道器件（１８）；将若干个形成的单片微沟道器件（１８）叠层粘结在一起，形成叠层器...

本发明涉及光电子技术领域，公开了一种对列阵器件进行老化筛选的装置，包括：一上压板，该上压板的一端固定有一热沉，热沉与上压板之间有一导热绝缘膜；一下压板，该下压板的一端固定有一热沉，热沉与下压板之间有一导热绝缘膜；一弹簧支杆，用于固定所述...