【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体技术中激光器管芯制作技术领 域，尤其涉及 一 种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的 方法。
技术介绍
III - V族GaN基化合物半导体及其量子阱结构激光 器(LD )，在增大信息的光存储密度、激光打印、深海 通信、大气环境检测等领域有着广泛的应用前景。如果氮化镓基激光器替代目前的DVD光头，其记 录密度可以达到现行的2 - 3倍；如果打印机采用氮化 镓基激光器，其分辨率可以从现在标准的6 0 0 dpi提 高至U 1 2 0 0 dpi 。为了提高和改善激光器的光电性能和寿命， 一般 都要将激光器的管芯倒装在热导率高的热沉上，传统 的垂直结构的砷化镓基激光器等采用简单的平面结构执 "、、沉就可以满足要求，如果在石等绝缘衬底上外延生长的氮化镓基激光器由于p型电极和N型电极在同—面上，采用平面结构的热沉则容易弓l起短路和光束的倾斜等问题。
技术实现思路
要解决的技术问题有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种制做氮化镓基激光器倒装用执 '、、、沉的方法，其是利用本专利技术制作的氮化镓基激光器倒装用的热沉可以避免传统的平面结构执 "、、沉容易...
【技术保护点】
一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤３：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的Ｐ型焊接电极； 步骤４：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤５：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤６：将样片分割成单 个氮化镓基激光器倒装用的热沉。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张书明，刘宗顺，杨辉，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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