本发明是一种在蓝宝石衬底上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法。该方法包括步骤：１）用醋酸锌、聚乙烯醇和去离子水配成胶体溶液；２）取表面清洁的蓝宝石衬底在去离子水中浸泡一定时间；３）用甩胶机在Ｃ面蓝宝石衬底上均匀的甩上一层醋酸锌－聚乙烯...

本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一Ⅲ族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获得了具有较好的磁学性...

本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，包括：１）设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；２）采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；３）运用模拟程...

本实用新型公开了一种钯栅ＭＯＳ器件的结构，它在钯栅的周边有“钯层—粘结层—绝缘层”的牢固粘结结构，避免了钯层从栅区脱落，提高了器件的可靠性。

本实用新型公开了一种双栅ＭＯＳ器件，它有两个不同厚度的氧化物栅区，并有各自分开的金属层栅极，源极和漏极均保持单一。这种器件的厚栅栅压—沟道电导线性特性可由薄栅栅压进行调节，它能满足在宽广数值范围内进行电压—电导线性变换的应用需求。

本实用新型公开了一种钯栅ＭＯＳ器件的结构，它在器件的漏源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，使栅外周边有“钯层－粘结层－绝缘层”的牢固粘结结构，避免了钯层从栅...

本实用新型公开了一种用多薄层晶体生长工艺制造的，具有垂直集成与光路自对准结构的半导体光发射与探测耦合组件。它由半导体光探测器件，透明绝缘晶体薄层以及半导体光发射器件叠加构成。它能简化工艺，降低成本，并有提高可靠性与灵敏度等积极效果。

本实用新型公开了一种控温的半导体光电特性测试样品架，它由样品腔、控温基座和温度传感器组成。样品腔包含腔盖和腔体，腔盖上设有用以穿插光纤或透过光束的穿孔，腔体上设有多个接线柱。控温基座固定在样品腔中并以一块高热导率的热沉为基体，温度传感器...

一种晶片热处理用的样品架，其特征在于，包括： 两个半圆形的端架，该端架的断面为矩形； 四个框条，该框条的断面为矩形，该框条的两端分别与两个框架固定，且四个框条的端部均匀分布在半圆形的端架上； 两横条，该横条固定在半圆形...

一种减薄抛光用的精密磨抛头机械装置，其特征在于，包括：一外套，该外套包括：一上层环体；一下层环体，该上层环体和下层环体之间由多个连接杆固定连接；一中层，该中层为圆形片体，该中层位于上层环体的下方、固定在多个连接杆的内侧，该中层中间的位置...

本实用新型涉及半导体材料技术领域，一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托。由石英支架（１０）、衬托（１１）、蓝宝石片（１２）、样品（１３）、热电偶（１４）组成，衬托（１１）位于石英支架（１０）之上，蓝宝石片（１２）位于衬托（１１）之...

一种半导体材料电信号测试装置，包括：一样品室上盖，在样品室上盖的上方中心开有圆形的光照孔，在有光照孔的一侧面形成有一带有外螺纹的凸台；一底座，下面有一带内螺纹的凹槽，中心有一圆孔，与样品室上盖螺接；一光学玻璃，放置在样品室上盖与底座之间...

本实用新型公开了一种新型键合用晶向对准装置。该装置包括两套可调节上下的五维调节架及安置在其上的两个吸盘，小孔光阑，激光器；其中两块晶片分别安置在两个吸盘上，激光器发出的激光经过小孔光阑后入射到一块晶片的解理面上，调节五维调节架使反射回来...

本实用新型一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其组成包括：一承载舟，该承载舟为矩形槽体，在内部底面上刻有多个窄槽；一石英柄，该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。本实用新型适用于砷化铝高精度氧化处理，可用于氧化限制型垂直腔...

一种平板式电极结构，用于ＰＥＣＶＤ系统，包括：一上极板，带有加热器，基片放置于上极板；一下极板，设有上层孔板、下层孔板，其中所述的上层孔板、下层孔板之间为上层混气室，下层孔板之下为下层混气室；下层混气室下部另设有电极接入端子，电源通过分...

本发明公开了一种用氧化物超导体作基体的固态开关器件，基体两端镀有金属电极作为开关器件的引接端，在其间的基体上淀积一层半导体膜并镀复金属电极作为控制端。这种器件可在室温下运用，并比现有器件的开关速度和控制灵敏度更加优越，它还兼有制作简单、...

本发明公开了一种用于制造微电子产品的微区敷膜技术与装置，它用微处理机控制涂敷笔在基片指定的部位按设计的图形和尺寸描绘敷料形成涂敷膜层，这种敷膜技术与装置具有操作简便、成本低廉、膜层均匀等优点，此外还能满足涂敷多品种膜层的需Ｏ＆要。

本发明公开了一种集成电路输入的过压保护结构，它由集成电路输入端与地线之间并列设置的矩形平面放电间隙和二氧化硅介质电容器组成。这种结构与现有集成电路工艺相容，特别适用于ＣＭＯＳ／ＳＯＳ集成电路，具有保护能力强以及不易烧毁等优点。

本发明涉及一种具有高光电转换效率的Ｐ－Ｎ结硅光电二极管器件，其特点是在Ｐ－Ｎ结附近的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。由于缺陷层能吸收更多的光而产生更多的光生载流子，从而使这种Ｐ－Ｎ结硅二极管产生更大的光生电流，实现高的光电转换效...

镓铟砷横向光电晶体管及其集成技术包括两项内容：一是根据横向光电晶体管的原理制作的一种均匀掺杂、宽基区，发射极结和集电极结在镓铟砷外延层顶部横向排列，电极对称，极性任意的光电器件。二是镓铟砷横向光电晶体管（５）与结型场效应晶体管（６）可以...