【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种平板式电极结构，尤其是指一种可用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统的平板式电极结构。
技术介绍
非晶硅基薄膜材料，不但具有较低的电阻率和隙态密度，而且还有较高的光敏性。在大面积太阳电池和液晶平面显示薄膜晶体管阵列等方面得到了广泛的应用。特别是它作为高效、廉价的太阳能电池的理想材料，更具有诱人的前景。制备方法较多光CVD法、热丝法、PECVD法等，工业生产中多采用PECVD法。若要获得较好的非晶硅基薄膜材料的物理及电学参数，与之相关的工艺条件较多，电极结构是其中重要一员。早期普遍采用短波、中波、射频电源，制备非晶硅基薄膜材料。近年来，为提高材料生长速率、降低生产成本，多采用甚高频电源。电极结构与电源间的匹配，对材料的物理及电学参数有着直接的因果关系。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种可用于PECVD系统的平板式电极结构，提高非晶硅基薄膜材料生长速率及均匀性，减少由等离子体产生的硅聚合物对系统的污染，并可获得较好的物理及电学参数。为实现上述目的，本技术提供的平板式电极结构，其特征在于一上极板，带有加热器，基片放置于上极板；一下极板，设有上层孔板、下层孔板，其中所述的上层孔板、下层孔板之间为上层混气室，下层孔板之下为下层混气室；下层混气室下部另设有电极接入端子，电源通过分配器采用这些电极接入端子引入；一进气口，连接于下极板的下端，由上而下依次为一绝缘陶瓷层和一金属层。所述的上层孔板、下层孔板为正方形且带有圆形导流孔，材料为不锈钢；所述的进气口，材料为不锈钢；所述的上层孔板厚度为3～5毫米，导流孔直径为6毫米，孔间距为12毫米，以矩阵...
【技术保护点】
一种平板式电极结构，用于ＰＥＣＶＤ系统，其特征在于：一上极板，带有加热器，基片放置于上极板；一下极板，设有上层孔板、下层孔板，其中所述的上层孔板、下层孔板之间为上层混气室，下层孔板之下为下层混气室；下层混气室下部另设有电极接 入端子，电源通过分配器采用这些电极接入端子引入；一进气口，连接于下极板的下端，由上而下依次为一绝缘陶瓷层和一金属层。
【技术特征摘要】
1.一种平板式电极结构，用于PECVD系统，其特征在于一上极板，带有加热器，基片放置于上极板；一下极板，设有上层孔板、下层孔板，其中所述的上层孔板、下层孔板之间为上层混气室，下层孔板之下为下层混气室；下层混气室下部另设有电极接入端子，电源通过分配器采用这些电极接入端子引入；一进气口，连接于下极板的下端，由上而下依次为一绝缘陶瓷层和一金属层。2.如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于所述的上层孔板、下层孔板为正方形且带有圆形导流孔，材料为不锈钢；所述的进气口，材料为不锈钢。3.如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于所述的上层孔板厚度为3～5毫米，导流孔直径为6毫米，孔间距为12毫米，以矩阵方式均匀分布于板上。4.如权利要求1所述的平板式电...
【专利技术属性】
技术研发人员：刁宏伟，廖显伯，曾湘波，郝会颖，徐艳月，张世斌，胡志华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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