本公开提供了一种光生载流子场分布的等时瞬态叠加方法及装置，可以应用于硅基光电子技术及光电探测技术领域。该方法包括：对光生载流子在材料本征吸收区的运动时长进行离散化，得到离散切片族；逐个迭代确定离散切片族中每一个离散切片的光生载流子分布信息，直至离散切片族中的所有离散切片的光生载流子被电场完全扫出；在材料本征吸收区的任意第一目标位置处，对第一目标位置处的光生载流子分布信息进行叠加，得到光生载流子的目标场分布信息。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及硅基光电子技术及光电探测，尤其涉及一种光生载流子场分布的等时瞬态叠加方法及装置。
技术介绍
1、材料的实际生长情况经常与材料的仿真生长情况存在差异，这就导致了材料在生长过程中可能会出现材料组分分布不均匀或者材料生长界面发生缓变的现象。对于由存在该种现象的材料组成的器件，相关技术在确定该种器件中的光生载流子的场分布时，一般采用场仿真的方式或者引入微分方程确定该种器件中的光生载流子的分布。
2、相关技术的场仿真对于光生载流子属性的处理过于简化，导致器件中的光生载流子状态难以解释和调控。而相关技术利用微分方程组确定器件中的光生载流子的方式，由于需要求解引入的微分方程组，所以给确定光生载流子的过程带来较大的复杂性以及计算的耗时。总体上，由于相关技术难以高效简便的确定在材料中存在上述现象下的光生载流子的分布情况，进而难以对器件材料的仿真情况进行反馈调试，使得材料的仿真效率低以及仿真结果精确度不高。有鉴于此，需要提供一种能够简便快捷确定材料中存在该种现象的光生载流子的分布情况，以提高材料仿真结果的精确度。
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【技术保护点】
1.一种光生载流子场分布的等时瞬态叠加方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离散切片具有离散时间段；
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对所述第一目标位置处的所述光生载流子分布信息进行叠加，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离散切片包括光生载流子线密度信息；
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离...
【技术特征摘要】
1.一种光生载流子场分布的等时瞬态叠加方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离散切片具有离散时间段；
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对所述第一目标位置处的所述光生载流子分布信息进行叠加，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离散切片包括光生载流子线密度信息；
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔金来，郑军，吴亦旸，贺晨，刘香全，黄秦兴，刘智，左玉华，成步文，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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