【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体
，特别是指一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置。
技术介绍
砷化铝在湿润氮气情况下会发生氧化，氧化产物以氧化铝为主，具有良好的电绝缘性和低折射率。采用此技术可形成电流限制和光限制孔径，可大大降低垂直腔面发射激光器的阈值电流，是制备垂直腔面发射激光器的关键技术之一。氧化处理过程如图1所示，传统外延片承载装置为一开口长方盒，氧化时将含有砷化铝层的外延片腐蚀而侧向露出砷化铝层，平放于盒内。承载装置放置于恒温、通有高纯氮气和水汽的氧化炉腔内。高纯氮气和水汽从外延片101上表面流过，一段时间后就会在外延片内形成外部已氧化，而中间未氧化的孔，氧化孔径尺寸由氧化温度、气流和时间决定。对于氧化炉，其恒温区沿气流方向呈轴对称分布。通有恒定高纯氮气和水汽后，沿气流方向温度梯度将不可避免的增大。如果外延片较长，两端温度就会有几度的差别，氧化速率对温度很敏感，即使1摄氏度的温度差别，在一定氧化时间后也会引起几微米甚至十几微米的氧化孔径差别，这将严重影响器件性能的均匀性和制备的可重复性，是垂直腔面发射激光器量产的一大难题。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，此装置适用于砷化铝高精度氧化处理，可用于氧化限制型垂直腔面发射激光器的大规模生产。本技术一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其组成包括一承载舟，该承载舟为矩形槽体，在内部底面上刻有多个窄槽；一石英柄，该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。其中承载舟内部底面上的多个窄槽的宽度及厚度均大于外延片的宽度和厚度，深度为5mm。其中承载舟和石英柄的材料...
【技术保护点】
一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其组成包括：一承载舟，该承载舟为矩形槽体，在内部底面上刻有多个窄槽；一石英柄，该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。
【技术特征摘要】
1.一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其组成包括一承载舟，该承载舟为矩形槽体，在内部底面上刻有多个窄槽；一石英柄，该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。2.按权利要求1所述的可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其中承载舟内部底面上的多个窄槽的宽度及厚度均大于外延片的宽度和厚度，深度为5mm。3.按权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：佟存柱，牛智川，韩勤，杜云，吴荣汉，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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