片上集成放大器制造技术

技术编号:41315121 阅读:23 留言:0更新日期:2024-05-13 14:56
本公开提供了一种片上集成放大器,包括:第一多模干涉结构和第二多模干涉结构,分别用于将信号光和泵浦光各分为两束;光开关,分别连接第一多模干涉结构和第二多模干涉结构的一路输出,将一路信号光和一路泵浦光进行位置交换;第一波分复用结构,将第一多模干涉结构输出的另一路信号光和光开关输出的一路泵浦光耦合;第二波分复用结构,将另一路泵浦光和一路信号光耦合;第一波导放大器和第二波导放大器,用于放大第一波导放大器和第二波导放大器输出的耦合光中的信号光;第三波分复用结构和第四波分复用结构,用于将放大后的信号光从泵浦光中分离出来;第三多模干涉结构,用于将各路信号光合束。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电,尤其涉及一种片上集成放大器


技术介绍

1、随着新一轮技术革命的到来,人工智能、物联网、云计算等产业对信息传输和处理提出了更高的技术需求。具有高速、低损耗以及工艺相对成熟的光子芯片有望满足此类技术需求。目前光子集成电路已经在5g通信、大数据中心、光计算等领域开拓了大量新应用。然而大规模集成光子回路必然会引起信号的衰减,需要光放大器对衰减信号进行放大,因此光放大器是集成光子平台的重要组成部分。目前稀土离子掺杂的波导放大器对于小信号功率能实现较大的增益,但是当输入信号功率增大时,会引起信号光的非辐射复合,降低信噪比,从而使增益下降,在一定程度上限制了其在高功率领域的应用。


技术实现思路

1、鉴于上述问题,本公开提供了一种片上集成放大器,以解决上述技术问题。

2、本公开的一个方面提供了一种片上集成放大器,包括:第一输入光波导,用于输入信号光;第二输入光波导,用于输入泵浦光;第一多模干涉结构,连接所述第一输入光波导,用于将所述信号光根据第一光功率比分为两束;第二多模干涉结构,连接所述第二输本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种片上集成放大器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在于,所述第一波导放大器(8)和所述第二波导放大器(9)的波导长度不同,以补偿各路所述信号光的相位差。

3.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在于,输出至所述光开关(5)的一路所述信号光的光功率大于另一路所述信号光,输出至所述光开关(5)的一路所述泵浦光的光功率大于另一路所述泵浦光。

4.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在于,所述第一输入光波导(1)和所述第二输入光波导(2)为直波导。

5.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种片上集成放大器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在于,所述第一波导放大器(8)和所述第二波导放大器(9)的波导长度不同,以补偿各路所述信号光的相位差。

3.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在于,输出至所述光开关(5)的一路所述信号光的光功率大于另一路所述信号光,输出至所述光开关(5)的一路所述泵浦光的光功率大于另一路所述泵浦光。

4.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在于,所述第一输入光波导(1)和所述第二输入光波导(2)为直波导。

5.根据权利要求1所述的片上集成放大器,其特征在于,所述第一波分复用结构(6)、所述第二波分复用结构(7)、第三波分复用结构(10)和第四波分复用结构(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘建国黄嘉瑜李金野
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:

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