钯栅场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种钯栅ＭＯＳ器件的结构，它在器件的漏源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，使栅外周边有“钯层－粘结层－绝缘层”的牢固粘结结构，避免了钯层从栅区脱落，提高了器件的可靠性。（*该技术在2003年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种钯栅MOS器件的结构。现有钯栅MOS器件的氢敏钯层是复盖在栅区氧化层上的金属栅极，由于钯层与氧化层的粘着不够牢固，往往会从栅区脱落，造成器件失效。本技术的目的是为克服上述现有技术的缺陷，避免钯栅脱落，提高器件的可靠性。本技术钯栅MOS器件结构的特征在于，在器件的漏、源两区金属电极(1，2)与栅区(3)之间的绝缘层(4)上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层(5)，并使金属栅钯层(6)的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘处形成钯层一粘结层一绝缘层的牢固粘结结构。由于钯栅的边缘与器件整体粘结牢固，就可以避免钯栅的脱落。与现有技术相比，本技术具有更高可靠性的积极效果。 附图说明附图为本技术钯栅MOS器件结构一项实施例的剖面示意图。其中1为漏区金属电极，2为源区金属电极，3为栅区，4为SiO2层，5为多晶硅层，6为金属栅钯层。本技术钯栅MOS器件一项实施例的剖面结构示意于附图。该项实施例在器件的漏、源两区金属电极(1，2)与栅区(3)之间的绝缘层为SiO2层(4)，用多晶硅层(5)作为与SiO2层和钯层均能牢固粘着的粘结层。

【技术保护点】
一种钯栅ＭＯＳ器件的结构，其特征在于，在器件的漏、源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘形成钯层一粘结层一绝缘层的牢固粘结结构。

【技术特征摘要】
1.一种钯栅MOS器件的结构，其特征在于，在器件的漏、源两区金属电极与栅区之间的绝缘层上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层，并使金属栅钯层的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘形成钯层一粘结层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐永祥，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]