一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法，其特征在于，采用了以下的方法来生长缓冲层，包括如下步骤：（Ａ）首先在硅衬底表面形成一层薄的液态铝层，该液态铝层的主要作用是阻止无定形的氮化硅层的形成；（Ｂ）然后生长一层高温氮化铝缓冲层，该氮...

一种提高半导体光电转换器件性能的方法，包括如下步骤：１）取两个半导体光电转换器件；２）使两个半导体光电转换器件构成Ｖ字型组件，其可增加受光面积，增加将光转换成电的能力。

本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：１）取一半导体材料；２）向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的Ｐ型导电埋层区域；３）退火。

本发明涉及半导体硅微机械加工技术领域，是一种在室温下通过氨水湿法可控性腐蚀来制备超薄纳米级硅可协变衬底。该腐蚀法，包括下列步骤：（ａ）先对可协变硅衬底片子进行去油处理，稀释氢氟酸漂洗；（ｂ）将（ａ）步中处理过的可协变硅衬底片子平放于腐蚀...

一种氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一覆盖层，该覆盖层制作在有源层上；一欧姆电极，该欧姆电极制作...

一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高Ｎ型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高Ｎ型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作...

一种低生长温度下提高化合物半导体中ｎ型掺杂浓度的方法，包含下述步骤：利用ＭＯＣＶＤ方法，在高的生长温度下，在衬底上生长缓冲层；将反应室温度降低至低的生长温度；以及减小通入反应室的反应源Ⅴ／Ⅲ比，保持掺杂源流量以及其它生长条件不变，生长ｎ...

本发明涉及的是半导体技术，是一种湿法腐蚀两步法制备超薄硅的腐蚀工艺，可用于减薄具有氧化埋层的硅柔性衬底（ＳＯＩ），为大失配外延生长提供了一种可协调失配应变的衬底材料。该腐蚀工艺，（ａ）对柔性硅衬底片子进行去油处理，去离子水清洗，并经稀释...

一种生长高阻氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积生长法，在衬底的晶面上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升高，在低温氮化镓成核层上生长本征氮化镓层。本发明降低了工艺难度，减少了工艺步骤，...

一种生长高迁移率氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用金属有机物化学气相沉积法生长一层低温氮化镓成核层；随后升高衬底的温度，在低温氮化镓成核层上生长氮化镓恢复层；最后改变生长室压力，在氮化镓恢复层上生长非...

一种生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层；降低衬底的温度，生长缓冲层；最后升高衬底的温度，生长高结晶质量的氮化铟层。

一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升高，在低温氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓高阻层；改变生长室压力，在非有意掺杂氮...

一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，制作在二维电子气...

一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法，其特征在于，包括如下步骤：先将衬底升温进行高温除气，在升温过程中一直开着Ｉｎ炉以防止在衬底表面形成ＳｉＮ↓［ｘ］；再将衬底降温，关闭铟炉，开启铝炉５～３０秒，在衬底表面覆盖几个单原子层的铝；最后在此...

本发明涉及多孔半导体材料技术领域的一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法。电化学池的材料是聚四氟乙烯，主要包括箱体、侧盖、盲板、上盖四部分，其中箱体用来盛装电解液，侧盖与盲板用来固定工作电极，上盖用来导入铂辅助电极、参比电极以及...

一种在硅衬底上生长大面积无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Ｓｉ基氮化物缓冲层和Ⅲ族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元Ⅲ族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常...

一种降低磷离子注入（０００１）取向的４Ｈ－碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过模拟程序选定在４Ｈ－碳化硅上进行磷离子注入参数，以形成杂质在注入层中的均匀分布；将磷离子注入到４Ｈ－碳化硅（０００１）晶面；注入的样品在纯净的氩...

一种在硅衬底上生长碳化硅＼氮化镓材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）采用硅衬底，该硅衬底作为生长氮化镓材料的基底层；２）在硅衬底上制备碳化硅外延薄膜层，以利于氮化镓的生长；３）在碳化硅外延薄膜层上面生长氮化镓材料，完成在硅衬底上生...

一种铝镓氮／氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：先在蓝宝石（０００１）衬底或碳化硅（０００１）衬底或硅（１１１）衬底晶面上采用金属有机物化学气相沉积方法或分子束外延方法或氢化物气相外延方法生长一薄层氮化...

本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在大失配衬底硅（００１）晶面上，采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜；（２）在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方法生长的氧化锌薄...