制造半导体双极器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：１）取一半导体材料；２）向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的Ｐ型导电埋层区域；３）退火。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是一种制造具有很薄基极的InP(铟磷)双极器件的方法。
技术介绍
InP晶体是重要的化合物半导体之一，与GaAs(砷化镓)相比，它的优越性主要在于高的饱和电场漂移速度、较好的导热性能以及抗辐射能力强等[L.Quintanilla，R.Pinacho，L.Enriquez，R.Pelaez，S.Duenas，E.Castan，L.Bailon，and J.Barbolla，J.Appl.Phys.Vol.85，7978(1999)]，因此InP晶片常用于制造高频、高速和大功率微波器件和电路。在当前迅速发展的光纤通讯领域，InP晶片已成为首选的衬底材料。典型的InP基光电子器件包括激光器、探测器、波导器件和抗辐射太阳能电池等；微电子器件包括高迁移率晶体管、异质结双极晶体管、毫米波和微波电路及高速数字集成电路等。用InP制作的长波长半导体激光器和光波导器件已在光通讯中得到广泛应用。对P型InP注入惰性元素离子可形成较稳定的高阻隔离区，这一特性已被用于半导体激光器中。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种制造半导体双极制作器件的方法，其是采用惰性元素离子的注入，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体双极器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）取一半导体材料；２）向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的Ｐ型导电埋层区域；３）退火。

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体双极器件的方法，其特征在于，包括如下步骤1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。2.根据权利要求1所述的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐嘉东，李建明，张秀兰，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]