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本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：１）取一半导体材料；２）向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的Ｐ型导电埋层区域；３）退火。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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